[发明专利]一种硼化物－碳化硅－碳化硼三元陶瓷基复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810064313.8 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101265108A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 韩杰才;张幸红;孟松鹤;翁凌;韩文波 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硼化物 碳化硅 碳化 三元 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1、一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料，其特征在于硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料是按照体积百分比由50％～80％的硼化物、10％～30％的碳化硅和5％～30％的碳化硼制成的。
2、根据权利要求1所述的一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料，其特征在于硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料是按照体积百分比由60％～70％的硼化物、15％～25％的碳化硅和10％～25％的碳化硼制成的。
3、根据权利要求1所述的一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料，其特征在于硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料是按照体积百分比由65％的硼化物、20％的碳化硅和15％的碳化硼制成的。
4、根据权利要求1、2或3所述的一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料，其特征在于硼化物为硼化锆或硼化铪。
5、一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料按照如下方法进行制备：一、按照体积百分比取50％～80％的硼化物、10％～30％的碳化硅和5％～30％的碳化硼进行湿混，然后干燥，再过60～325目筛；二、过筛后的粉末放入石墨模具中，在真空或惰性气体保护下进行热压烧结，烧结压力为10～35MPa，以5～25℃/min的升温速度升温至1500～2200℃，并保温20～90分钟；即得到硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料。
6、根据权利要求5所述的一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤一中过100～280目筛。
7、根据权利要求5所述的一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中惰性气体为氩气或氮气。
8、根据权利要求5所述的一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中烧结压力为20～25MPa。
9、根据权利要求5所述的一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中以10～20℃/min的升温速度升温至1700～2000℃。
10、根据权利要求5所述的一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中升温后保温40～70分钟。
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