[发明专利]一种电流源耦合型高压晶闸管阀组触发单元

权利要求书

1、一种电流源耦合型高压晶闸管阀组触发单元，它包括全桥电路(1)、全桥控制电路(2)、EMI电路(7)、BUCK恒流电路(8)，其特征在于它还包括高压电缆(3)、n个磁环(4)、n个副边线圈(5)和n个副边触发电路(6)，EMI电路(7)的输出端与BUCK恒流电路(8)的输入端相连，BUCK恒流电路(8)的输出端与全桥电路(1)的输入端相连，全桥电路(1)的两个输出端与高压电缆(3)的两端相连，高压电缆(3)上穿有n个磁环(4)，每个磁环(4)上均绕有一个副边线圈(5)，每个副边线圈(5)的两端分别与一个副边触发电路(6)的两个输入端相连，全桥控制电路(2)的八个输出端分别与全桥电路(1)的八个控制端相连，全桥电路(1)由第一MOS开关管Q1、第二MOS开关管Q2、第三MOS开关管Q3、第四MOS开关管Q4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4组成，第一MOS开关管Q1的源极与第三MOS开关管Q3的漏极相连，第一MOS开关管Q1的漏极和第三MOS开关管Q3的源极作为全桥电路(1)的输入端，第一电容C1的两端分别与第一MOS开关管Q1的源、漏极相连，第三电容C3的两端分别与第三MOS开关管Q3的源、漏极相连，第二MOS开关管Q2的源极与第四MOS开关管Q4的漏极相连，第二MOS开关管Q2的漏极与第一MOS开关管Q1的漏极相连，第二电容C2的两端分别与第二MOS开关管Q2的源、漏极相连，第四MOS开关管Q4的源极与第三MOS开关管Q3的源极相连，第四电容C4的两端分别与第四MOS开关管Q4的源、漏极相连，第一MOS开关管Q1的源极引出线与第二MOS开关管Q2的源极引出线作为全桥电路(1)的两个输出端，第一MOS开关管Q1的栅极作为全桥电路(1)的第一个控制端，第一MOS开关管Q1的源极引出线作为全桥电路(1)的第二个控制端，第三MOS开关管Q3的栅极作为全桥电路(1)的第三个控制端，第三MOS开关管Q3的源极引出线作为全桥电路(1)的第四个控制端，第二MOS开关管Q2的栅极作为全桥电路(1)的第五个控制端，第二MOS开关管Q2的源极引出线作为全桥电路(1)的第六个控制端，第四MOS开关管Q4的栅极作为全桥电路(1)的第七个控制端，第四MOS开关管Q4的源极引出线作为全桥电路(1)的第八个控制端，n为自然数。

2、根据权利要求1所述的一种电流源耦合型高压晶闸管阀组触发单元，其特征在于全桥控制电路(2)由第一MOSFET驱动芯片(2-1)、第二MOSFET驱动芯片(2-2)、方波振荡器(2-3)和反向器(2-4)组成，第一MOSFET驱动芯片(2-1)的高端栅极输出管脚G1为全桥控制电路(2)的第一个输出端，第一MOSFET驱动芯片(2-1)的高端源极输出管脚S1为全桥控制电路(2)的第二输出端，第一MOSFET驱动芯片(2-1)的低端栅极输出管脚G3为全桥控制电路(2)的第三输出端，第一MOSFET驱动芯片(2-1)的低端源极输出管脚POWGND为全桥控制电路(2)的第四输出端，第二MOSFET驱动芯片(2-2)的高端栅极输出管脚G2为全桥控制电路(2)的第五个输出端，第二MOSFET驱动芯片(2-2)的高端源极输出管脚S2为全桥控制电路(2)的第六输出端，第二MOSFET驱动芯片(2-2)的低端栅极输出管脚G4为全桥控制电路(2)的第七输出端，第二MOSFET驱动芯片(2-2)的低端源极输出管脚POWGND为全桥控制电路(2)的第八输出端，方波振荡器(2-3)的振荡输出端管脚VO与第二MOSFET驱动芯片(2-2)的振荡使能端VO2连接，方波振荡器(2-3)的振荡输出端管脚VO还与反向器(2-4)的输入端相连，反向器(2-4)的输出端与第一MOSFET驱动芯片(2-1)的振荡使能端VO1连接。