[发明专利]在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法

权利要求书

1、在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法按以下步骤实现：一、对铜及其合金的待反应表面进行清理，然后用聚四氟乙烯包裹露出反应面积，再放入电解液中作为阳极；二、以不锈钢为阴极，接通脉冲电源，均匀搅拌电解液，等离子体液相电解沉积5～60min，得到表面沉积陶瓷膜的铜及其合金；其中步骤一电解液中的电解质是质量浓度1～20g/L的铝酸钠、0～5g/L的硅酸钠、0～5g/L的磷酸二氢钠、0～5g/L的焦磷酸钠、0～3g/L的次亚磷酸钠、0～3g/L的硫酸钠、0～10g/L的钒酸钠、0～10g/L的氟锆酸钾、0～20g/L的氟铝酸钠、0～20g/L的氟钛酸钾、0～50g/L的氧化锆、0～50g/L的氧化铜、0～50g/L的二氧化钛、0～30g/L的氧化亚铁和0～40g/L的氧化铝；步骤二中脉冲电源为电压控制模式脉冲电源或电流控制模式恒功率脉冲电源。

2、根据权利要求1所述的在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于步骤一中对铜及其合金的待反应表面进行清理采用600^#和1000^#碳化硅砂纸打磨，清水冲洗后放入丙酮溶液中泡洗，然后用蒸馏水冲洗，再晾干。

3、根据权利要求1所述的在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于步骤一中电解液中的电解质是质量浓度6～10g/L的铝酸钠、0.1～3g/L的磷酸二氢钠、1～5g/L的氟锆酸钾和20～50g/的氧化锆。

4、根据权利要求1所述的在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于步骤一中电解液中的电解质是质量浓度6～10g/L的铝酸钠、0.1～3g/L的磷酸二氢钠、1～8g/L的氟钛酸钾和20～50g/L的二氧化钛。

5、根据权利要求1所述的在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于步骤一中电解液中的电解质是质量浓度8～12g/L的铝酸钠、0.1～1.2g/L的磷酸二氢钠、0.1～0.8g/L的焦磷酸钠、0.1～1g/L的次亚磷酸钠、0.18～0.22g/L的硅酸钠、0.3～0.7g/L的硫酸钠、1～5g/L的钒酸钠和30～60g/L的氧化铜。

6、根据权利要求1所述的在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于步骤一中电解液中的电解质是质量浓度6～12g/L的铝酸钠、1～3g/L的磷酸二氢钠、20～50g/L的氧化铝和20～50g/L的氧化亚铁。

7、根据权利要求1所述的在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于步骤二中脉冲电源为电压控制模式脉冲电源，输出平均电压为0.5～600v，频率为60～3000Hz，平均电流为0.5～20A。

8、根据权利要求1所述的在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于步骤二中电流控制模式恒功率脉冲电源，输出平均电压为9～150v，频率为1000～3000Hz，峰值电流为30～250A。

9、根据权利要求1所述的在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，其特征在于步骤二中均匀搅拌电解液，等离子体液相电解沉积20min。