[发明专利]在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法无效
| 申请号： | 200810064640.3 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101307431A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 马欣新;李金龙;孙明仁;唐光泽 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23F4/00;B01J21/06;A61L9/22 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 金永焕 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钛合金 基体 制备 掺杂 微孔 氧化 可见光 光催化 方法 | ||
1、在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法，其特征在于在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法按以下步骤实现：一、对钛及钛合金进行氧等离子体离子注入处理，在注入电压为10～30kV的条件下注入3×1017～8×1017离子/cm2；二、氦等离子体离子注入分三步，第一步在注入电压为8～12kV的条件下注入5×1017～7×1017离子/cm2，第二步在注入电压为28～32kV的条件下注入2×1017～4×1017离子/cm2，第三步在注入电压为48～52kV的条件下注入2×1017～4×1017离子/cm2；三、退火处理，在500～600℃的条件下退火1～2h，然后在600～700℃的条件下退火1～2h；四、在基体偏压为600～800V的条件下进行氩等离子体刻蚀3～5h，得表面形成微孔的钛及钛合金；五、氮离子注入处理，注入电压为30～50kV，注入时间为10～20min，即在钛及钛合金基体上制备得到氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层。
2、根据权利要求1所述的在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法，其特征在于步骤一中在注入电压为25kV的条件下注入6×1017离子/cm2。
3、根据权利要求1所述的在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法，其特征在于步骤二中氦等离子体离子注入分三步，第一步在注入电压为10kV的条件下注入6×1017离子/cm2，第二步在注入电压为30kV的条件下注入3×1017离子/cm2，第三步在注入电压为50kV的条件下注入3×1017离子/cm2。
4、根据权利要求1所述的在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法，其特征在于步骤三中在550℃的条件下退火1.5h，然后在650℃的条件下退火1.5h。
5、根据权利要求1所述的在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法，其特征在于步骤四中在基体偏压为700V的条件下进行氩等离子体刻蚀4h，得表面形成微孔的钛及钛合金。
6、根据权利要求1所述的在钛及钛合金基体上制备氮掺杂微孔二氧化钛可见光光催化层的方法，其特征在于步骤五中注入电压为40kV，注入时间为15min。
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