[发明专利]硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法无效
| 申请号： | 200810064952.4 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101318833A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 韩杰才;张幸红;孟松鹤;徐林;韩文波;翁凌;王家智 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 刘同恩 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硼化物基 陶瓷材料 表面 氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法，其特征在于硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法按以下步骤实施：一、用砂纸对硼化物基陶瓷材料进行表面抛光处理至表面光洁度小于1μm，其中硼化物基陶瓷材料中SiC晶须和HfB2粉末的体积百分比为20∶80，材料抛光处理后在受拉表面中心预制一维氏压痕；二、将抛光处理后的材料放入烧结炉中，升温至1000℃并保温60min，然后随炉冷却至室温；即得硼化物基陶瓷材料的氧化表面；或者硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法按以下步骤实施：一、用砂纸对硼化物基陶瓷材料进行表面抛光处理至表面光洁度小于1μm；其中硼化物基陶瓷材料中SiC晶须和ZrB2粉末的体积百分比为20∶80，材料抛光处理后在受拉表面中心预制一维氏压痕；二、将抛光处理后的材料放入烧结炉中，升温至1200℃并保温60min，然后随炉冷却至室温；即得硼化物基陶瓷材料的氧化表面。
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