[发明专利]降低开关电源空载损耗的方法和电路

权利要求书

1、一种降低开关电源空载损耗的方法，其特征在于，包括步骤：

在空载时，增加功率开关元件开关频率；

调节功率开关元件频率调节电路的电阻元件的大小使功率开关元件Q1接通时间小于功率开关元件Q1的开通时间。

2、如权利要求1所述的降低开关电源空载损耗的方法，其特征在于，进一步包括步骤：

在轻载时，调节功率开关元件频率调节电路的电阻元件的大小使PNP三级管Q6处于放大状态，且使PNP三级管Q6随负载增加而逐渐达到关闭状态。

3、如权利要求1所述的降低开关电源空载损耗的方法，其特征在于，所述的在空载时增加功率开关元件Q1开关频率，具体包括：增加电阻R41、R42和电容C21依次串联，其中PNP三级管Q6的基极接入R42和电容C21之间，PNP三级管Q6的发射极与电阻R38的一端相连接，电阻R38的另一端与电阻R44的一端相连接，电阻R44的另一端接入电阻R41和电阻R42之间，由电阻R1、R2和电阻R1、R38共同为电容C35充电，以增加电容C35的充电电流。

4、如权利要求1所述的降低开关电源空载损耗的方法，其特征在于，所述的功率开关元件频率调节电路的电阻元件包括：R41、R44、R1、R38、R2、R42，其中：电阻R41的一端接入芯片U1的1引脚，电阻R41的另一端与电阻R44和电阻R1依次串联，电阻R1的另一端接入芯片U1的VREF引脚；

电阻R38的一端接入电阻R44和电阻R1之间，电阻R38的另一端接入PNP三级管Q6的发射极；

电阻R2的一端接入电阻R44和电阻R1之间，电阻R2的另一端接入PNP三级管Q6的集电极；

电阻R42的一端接入电阻R44和电阻R41之间，电阻R42的另一端接入PNP三级管Q6的基极。

5、如权利要求1、2、3或4所述的降低开关电源空载损耗的方法，其特征在于，所述的功率开关元件包括：场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管和双极型晶体管等。

6、一种降低开关电源空载损耗的电路，其特征在于，包括频率增加电路、频率调节电路，其中：

频率增加电路，用于在空载时，增加功率开关元件开关频率；

频率调节电路，用于在空载时，调节该调节电路中的电阻元件的大小使功率开关元件Q1接通时间小于功率开关元件Q1的开通时间。

7、如权利要求6所述的降低开关电源空载损耗的电路，其特征在于，

所述的功率开关元件频率调节电路，在轻载时，调节功率开关元件调节电路的电阻元件的大小使PNP三级管Q6处于放大状态，且使PNP三级管Q6随负载增加而逐渐达到关闭状态。

8、如权利要求6所述的降低开关电源空载损耗的电路，其特征在于，所述的频率增加电路，具体包括：

电阻R41、R42和电容C21依次串联，其中PNP三级管Q6的基极接入R42和电容C21之间，PNP三级管Q6的发射极与电阻R38的一端相连接，电阻R38的另一端与电阻R44的一端相连接，电阻R44的另一端接入电阻R41和电阻R42之间。

9、如权利要求6所述的降低开关电源空载损耗的电路，其特征在于，所述的频率调节电路的包括：R41、R44、R1、R38、R2、R42，其中：电阻R41的一端接入芯片U1的1引脚，电阻R41的另一端与电阻R44和电阻R1依次串联，电阻R1的另一端接入芯片U1的VREF引脚；

电阻R38的一端接入电阻R44和电阻R1之间，电阻R38的另一端接入PNP三级管Q6的发射极；

电阻R2的一端接入电阻R44和电阻R1之间，电阻R2的另一端接入PNP三级管Q6的集电极；

电阻R42的一端接入电阻R44和电阻R41之间，电阻R42的另一端接入PNP三级管Q6的基极。

10、如权利要求6、7、8或9所述的降低开关电源空载损耗的电路，其特征在于，所述的功率开关元件包括：场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管和双极型晶体管等。