[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

目前，液晶显示器逐渐取代传统阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器，而且，由于液晶显示器具有轻、薄、体积小等特点，使其非常适合应用于桌上型计算机、笔记本电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、移动电话、电视及多种办公自动化与视听设备中。液晶面板是其主要组件，其一般包括一薄膜晶体管基板、一彩色滤光片基板及一夹于该薄膜晶体管基板与该彩色滤光片基板之间的液晶层。

请参阅图1，是一种现有技术的薄膜晶体管基板的部分剖面示意图。在该薄膜晶体管基板10上定义一数据端子区110、一显示区120及一栅极端子区130。该显示区120位于该薄膜晶体管基板10的中央区域，该数据端子区110及该栅极端子区130分别位于该显示区120外围的相邻两边缘处。该薄膜晶体管基板10包括一基底101、一栅极111、一电容电极112、一数据端子(source pad)113及一栅极端子(gate pad)114、一栅极绝缘层102、一非晶硅图案103、一掺杂非晶硅图案104、一源极115、一漏极116、一钝化层105、一第一连接孔a、一第二连接孔b、两个第三连接孔c1、c2、一第四连接孔d、一像素电极108、一第一透明导电层109，一第二透明导电层106及一第三透明导电层107。

该数据端子113、该栅极端子114是与外部驱动电路(图未示)相连接的端子部，两者分别形成在该数据端子区110与栅极端子区130对应的基底101上。该栅极111及该电容电极112间隔形成在该显示区120的基底101上。该栅极绝缘层102覆盖该栅极111、该电容电极112、该数据端子113、该栅极端子114及该基底101。该非晶硅图案103形成在与该栅极111对应的栅极绝缘层102的表面。该掺杂非晶硅图案104覆盖非晶硅图案103表面，并在该栅极111对应处形成一开口e。该源极115与该漏极116相对设置在该开口e两侧的掺杂非晶硅图案104表面并与该栅极绝缘层102部分交叠。该钝化层105覆盖具有该栅极绝缘层102、该源极115及该漏极116的基底101上。该第一连接孔a及该第二连接孔b分别贯穿该源极115、该漏极116对应处的该钝化层105，从而暴露出部分源极115与部分漏极116。该第三连接孔c1、c2及该第四连接孔d贯穿该钝化层105与栅极绝缘层102，从而暴露出部分数据端子113及部分栅极端子114。

该第一透明导电层109覆盖该数据端子区110与该显示区120对应的钝化层105，并填充该第一连接孔a及该第三连接孔c1，从而使该源极115通过该第一连接孔a及该第三连接孔c1与该数据端子113电连接。该像素电极108形成在该显示区120对应的部分钝化层105上，并通过该第二连接孔b与该漏极116相连接。该电容电极112及该像素电极108与夹于其间的该栅极绝缘层102及该钝化层105形成一存储电容。该第二透明导电层106覆盖该数据端子区110对应的钝化层105，并填充该第三连接孔c2与该数据端子113相连接，其用于保护该数据端子113的金属材料以防止其氧化及泄漏，也用于实现外部数据驱动芯片(图未示)与该数据端子113的电连接。该第三透明导电层107覆盖该栅极端子区130对应的钝化层105，并填充该第四连接孔d与该栅极端子114相连接，其用于保护该栅极端子114的金属材料以防止其氧化及泄漏，也用于实现外部扫描驱动芯片(图未示)与该栅极端子114的电连接。

该薄膜晶体管基板10是通过五道掩膜工艺形成，其主要步骤包括在第一道掩膜工艺形成该栅极111、该电容电极112、该栅极端子113及该数据端子114。在第二道掩膜工艺形成该非晶硅图案103及该掺杂非晶硅图案104。在第三道掩膜工艺形成该源极115及该漏极116。在第四道掩膜工艺形成该第一接触孔a、该第二接触孔b、该第三接触孔c1、c2及该第四接触孔d。在第五道掩膜工艺形成该像素电极108、该第一透明导电层109、该第二透明导电层106及该第三透明导电层107。

然而，由于各道掩膜所形成结构图案各不相同，因此该薄膜晶体管基板10的五道掩膜工艺需要利用五个不同图案的掩膜，而掩膜设计复杂且成本较高，则该薄膜晶体管基板10的制造成本较高。

发明内容

为了解决现有技术薄膜晶体管制造工艺复杂、制造成本高的问题，有必要提供一种制造工艺简单、成本较低的薄膜晶体管基板。