[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、布线结构及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、多条第一金属导线、多条第二金属导线和多条驱动线，在该绝缘基底上界定一显示区和一边框区，该边框区位于该显示区的外围，该多条驱动线位于该显示区的绝缘基底上，该第一金属导线与该第二金属导线位于该边框区并与该驱动线相连接，其特征在于：该边框区进一步设置有多个绝缘墙，该多个绝缘墙等间距排布，该第一金属导线位于该绝缘墙的上表面上，该第二金属导线位于该绝缘墙之间的绝缘基底上。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该驱动线是栅极线，该薄膜晶体管基板进一步包括一栅极绝缘层、一钝化层和一连接结构，该栅极绝缘层位于具有该栅极线、该第一金属导线和该第二金属导线的绝缘基底上，该钝化层位于该栅极绝缘层上，该连接结构包括两个接触孔和一透明导电连接层，其中一接触孔贯穿该第一金属导线对应的栅极绝缘层和钝化层，另一接触孔贯穿该栅极线对应的栅极绝缘层和钝化层，该透明导电连接层通过这两个接触孔将该第一金属导线与该栅极线电连接。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该绝缘墙邻近该驱动线的末端为平缓延伸下降的阶梯状，该第一金属导线位于其上直接与该驱动线电连接。

4.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括以下步骤：

提供一绝缘基底，其包括一显示区和一边框区，该边框区位于该显示区的外围；

在该绝缘基底上沉积一绝缘层；

在该绝缘基底的边框区形成多个绝缘墙，该绝缘墙等间距排列；

在该绝缘基底和该绝缘墙上沉积一第一金属层；

在该绝缘基底的显示区形成一栅极和一栅极线，同时在该边框区形成一第一金属导线和一第二金属导线，该第一金属导线位于该绝缘墙的上表面上，该第二金属导线位于该绝缘墙之间的绝缘基底上。

5.如权利要求4项所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管极板的制造方法进一步包括如下步骤：

在该第一金属导线、第二金属导线、栅极、栅极线和该栅极线两侧的绝缘基底上沉积一栅极绝缘层和一半导体层；

在该栅极对应的栅极绝缘层上形成一半导体层图案；

在该栅极绝缘层和该半导体层图案上沉积一第二金属层；

分别在该半导体层图案及其两侧的栅极绝缘层上形成一源极和一漏极；

在该源极、漏极及其两侧的栅极绝缘层上沉积一钝化层；

形成一第一接触孔、一第二接触孔和一第三接触孔，该第一接触孔贯穿该漏极对应的钝化层，该第二接触孔贯穿该第一金属导线对应的栅极绝缘层和钝化层，该第三接触孔贯穿该栅极线对应的栅极绝缘层和钝化层；

在该钝化层上沉积一透明导电金属层；

形成一像素电极和一透明导电连接层，该像素电极经由该第一接触孔与该漏极电连接，该透明导电连接层经由该第二接触孔与该第三接触孔将该第一金属导线与该栅极线电连接。

6.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括以下步骤：

提供一绝缘基底，其包括一边框区和一显示区，该边框区位于该显示区的外围；

在该绝缘基底上沉积一第一金属层；

形成一栅极和一栅极线；

在该栅极、该栅极线及其两侧的绝缘基底上沉积一栅极绝缘层和一半导体层；

形成一半导体层图案和多个绝缘墙，该半导体层图案位于该栅极对应的栅极绝缘层上，该绝缘墙位于该边框区的绝缘基底上；

在该半导体层图案、该绝缘墙、该栅极绝缘层和该绝缘基底上沉积一第二金属层；

形成一源极、一漏极、多条第一金属导线和多条第二金属导线，该第一金属导线位于该绝缘墙的上表面上，该第二金属导线位于该绝缘墙之间的绝缘基底上。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：该薄膜晶体管极板的制造方法进一步包括如下步骤：

在该第一金属导线、该第二金属导线、该源极、该漏极和该栅极绝缘层上沉积一钝化层；

形成一第一接触孔、一第二接触孔和一第三接触孔，该第一接触孔、该第二接触孔和该第三接触孔分别贯穿该漏极、该第一金属导线和该栅极线对应的钝化层；

在该钝化层上沉积一透明导电金属层；

形成一像素电极和一透明导电连接层，该像素电极经由该第一接触孔与该漏极电连接，该透明导电连接层经由该第二接触孔与该第三接触孔将该第一金属导线与该栅极线电连接。