[发明专利]电子发射器件及其制备方法有效
申请号: | 200810066050.4 | 申请日: | 2008-02-01 |
公开(公告)号: | CN101499390A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 魏洋;刘亮;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J1/30 | 分类号: | H01J1/30;H01J9/02 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 发射 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种电子发射器件,其包括:
一绝缘基底;
多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设 置于绝缘基底上,该多个第一电极与多个第二电极相互垂直地交叉设置,且 第一电极与第二电极之间电绝缘,每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第 二电极形成一个网格;
多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内,每个电子发射单元中设有至 少一个电子发射体,该电子发射体的两端分别与所述第一电极和第二电极电 连接;
其特征在于,所述电子发射体具有一间隙,并在所述间隙处形成有两个尖端, 每个尖端为类圆锥形且具有多个电子发射尖端,所述电子发射体为碳纳米管 长线,该碳纳米管长线是由多个首尾相连的碳纳米管束组成的束状结构或者 绞线结构。
2.如权利要求1所述的电子发射器件,其特征在于,所述间隙的大小为1微米 ~20微米。
3.如权利要求1所述的电子发射器件,其特征在于,所述每个电子发射单元设 置有多个平行且间隔排列的电子发射体。
4.如权利要求1所述的电子发射器件,其特征在于,所述电子发射器件中的每 个第一电极进一步包括多个间隔排列的延伸部,该多个延伸部分别对应设置 于每个电子发射单元内。
5.如权利要求4所述的电子发射器件,其特征在于,所述多个延伸部均设置于 所述第一电极的同一侧,并至少部分与相应网格内的第二电极正对。
6.如权利要求4所述的电子发射器件,其特征在于,所述电子发射器件中的每 个电子发射体沿从所述第二电极向第一电极的延伸部延伸的方向排列,并与 所述第二电极和第一电极的延伸部电连接。
7.如权利要求1所述的电子发射器件,其特征在于,所述碳纳米管长线的尖端 直径小于该碳纳米管长线的直径。
8.如权利要求7所述的电子发射器件,其特征在于,所述碳纳米管长线的电子 发射尖端的顶端突出有一根碳纳米管。
9.如权利要求1所述的电子发射器件,其特征在于,所述碳纳米管长线的电子 发射尖端包括多个平行的碳纳米管,该多个碳纳米管之间通过范德华力紧密 结合。
10.如权利要求1所述的电子发射器件,其特征在于,所述碳纳米管束之间通过 范德华力紧密结合,该碳纳米管束中包括多个定向排列的碳纳米管。
11.如权利要求1所述的电子发射器件,其特征在于,所述碳纳米管长线的直径 为10微米~100微米。
12.如权利要求1所述的电子发射器件,其特征在于,进一步包括多个固定电极, 该多个固定元件分别设置于所述第一电极和/或第二电极上。
13.一种电子发射器件的制备方法,其包括以下步骤:
提供一绝缘基底;
在该绝缘基底上制备多个平行且等间隔排列的第一电极与第二电极,该第一 电极与第二电极交叉设置,且每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电 极相互交叉形成一网格;
制备多个电子发射体;
将该多个电子发射体铺设于上述设置有电极的绝缘基底上,该多个电子发射 体沿从第二电极向第一电极延伸的方向排列;
断开所述电子发射体,使每个电子发射体形成一间隙,并在该间隙处形成两 个尖端,从而得到一电子发射器件。
14.如权利要求13所述的电子发射器件的制备方法,其特征在于,所述制备第 一电极与第二电极的方法包括丝网印刷法、蒸镀法或溅射法。
15.如权利要求13所述的电子发射器件的制备方法,其特征在于,所述电子发 射体为碳纳米管长线,该碳纳米管长线的制备步骤包括以下步骤:
提供一碳纳米管阵列形成于一基底;
采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管结构;以及
通过使用有机溶剂或者施加机械外力处理该碳纳米管结构得到碳纳米管长 线。
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