[发明专利]硅化铁纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种硅化铁纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤：

提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；

提供一定量的铁粉与一生长基底，并将该铁粉与生长基底间隔置入反应室内；向反应室通入硅源气体，并加热至600～1200℃，在生长基底上生长得到硅化铁纳米线。

2.如权利要求1所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，所述铁粉在使用前先用稀释的酸性溶液浸泡2～10分钟。

3.如权利要求1所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，所述生长基底为一硅片、石英片、蓝宝石或玻璃。

4.如权利要求1所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，所述反应室包括一入气口与一出气口，且该生长基底置于铁粉正上方或置于铁粉与出气口之间。

5.如权利要求1所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，向反应室通入硅源气体前，先向反应室通入流量为20～1000毫升/分的氢气。

6.如权利要求5所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，向反应室通入氢气前，先向反应室通入流量为200～2000毫升/分的保护气体。

7.如权利要求1所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，所述硅源气体的流量为10～1000毫升/分。

8.如权利要求7所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，所述硅源气体为硅烷及其衍生物中的一种或多种。

9.如权利要求8所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，所述硅源气体为四氯化硅。

10.如权利要求1所述的硅化铁纳米线的制备方法，其特征在于，该方法制备的硅化铁纳米线的直径为10～500纳米，长度为100纳米～100微米。