[发明专利]热发射电子源有效
| 申请号： | 200810066573.9 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101556884A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 肖林;刘亮;刘长洪;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/13 | 分类号： | H01J1/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 电子 | ||
1.一种热发射电子源，包括至少一碳纳米管绞线，其特征在于，该碳纳米管绞 线包括多个相互交叉缠绕且无规则排列的碳纳米管，该热发射电子源进一步 包括低选出功材料颗粒，该低逸出功材料颗粒至少部分填充于该碳纳米管绞 线内。
2.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的低逸出功材料颗粒 进一步附着在碳纳米管绞线的表面。
3.如权利要求2所述的热发射电子源，其特征在于，所述的低逸出功材料颗粒 均匀分布于碳纳米管绞线的内部和表面。
4.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的低逸出功材料颗粒 的质量为碳纳米管绞线质量的50％-90％。
5.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的热发射电子源进一 步包括至少两个碳纳米管绞线，该两个碳纳米管绞线相互扭曲缠绕。
6.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的热发射电子源进一 步包括至少一导线与至少一碳纳米管绞线，该导线与该碳纳米管绞线相互扭 曲缠绕。
7.如权利要求6所述的热发射电子源，其特征在于，所述导线的材料为金、银、 铜或石墨。
8.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的热发射电子源开始 发射电子的温度为800℃。
9.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的碳纳米管绞线中的 碳纳米管之间通过范德华力连接。
10.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的碳纳米管为单壁碳 纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管或其任意组合的混合物。
11.如权利要求10所述的热发射电子源，其特征在于，所述的单壁碳纳米管的 直径为0.5纳米-50纳米，双壁碳纳米管的直径为1纳米-50纳米，多壁碳纳 米管的直径为1.5纳米-50纳米，碳纳米管的长度均为10微米-5000微米。
12.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的碳纳米管绞线的直 径为20微米-1毫米。
13.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的低选出功材料为氧 化钡、氧化锶、氧化钙、硼化钍、硼化钇或其任意组合的混合物。
14.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，所述的低逸出功材料颗粒 的直径为10纳米-100微米。
15.如权利要求1所述的热发射电子源，其特征在于，该热发射电子源进一步包 括一第一电极和一第二电极间隔设置于其两端，并与所述碳纳米管绞线电性 连接。
16.如权利要求15所述的热发射电子源，其特征在于，所述的第一电极和第二 电极的材料为金、银、铜、碳纳米管或石墨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810066573.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
