[发明专利]碳纳米管制备方法有效
| 申请号： | 200810066744.8 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101559939A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;姚湲;张长生;白先声;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 | ||
1. 一种碳纳米管的制备方法，其包括以下步骤：
提供一铜基底，对铜基底的表面进行抛光处理；
将抛光处理后的铜基底置于一反应炉中，通入保护气体后，加热至400℃-800℃；以及
向加热炉中通入碳源气与保护气体的混合气体，在400℃-800℃下生长碳纳米管。
2. 如权利要求1所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的对铜基底的表面进行抛光处理的过程包括以下步骤：
采用一600目-800目的砂纸沿第一方向反复摩擦铜基底的表面3分钟-5分钟；
采用一1000目-1300目的砂纸沿第二方向反复摩擦铜基底的表面5分钟-8分钟；以及
采用一1500目-2000目的砂纸沿第一方向反复摩擦铜基底的表面10分钟-15分钟。
3. 如权利要求2所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的第一方向与第二方向之间形成一夹角α，0°＜α≤90°。
4. 如权利要求2所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的对铜基底的表面进行抛光处理的过程进一步包括一去除铜基底表面因摩擦产生粉末的步骤。
5. 如权利要求4所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的除去铜基底表面因摩擦产生的粉末的步骤为采用风吹的步骤。
6. 如权利要求1所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的铜基底为一长方体。
7. 如权利要求6所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的铜基底的厚度为0.5厘米-5厘米。
8. 如权利要求1所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的反应炉为箱式加热炉或管式加热炉。
9. 如权利要求1所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的保护气体为惰性气体或氮气。
10. 如权利要求1所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的碳源气为乙炔或乙烯。
11. 如权利要求1所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，所述的碳纳米管的生长时间为5分钟-30分钟。
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