[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 200810066800.8 | 申请日: | 2008-04-25 |
公开(公告)号: | CN101567409A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 魏百盛;张家寿 | 申请(专利权)人: | 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管,包括基板、发光芯片、碗杯以及胶体,所述碗杯位于基板上,且与基板间形成一收容空间,所述发光芯片设于所述收容空间内,所述胶体填充于所述收容空间内,将所述发光芯片封装至所述碗杯内,其特征在于:所述胶体内设有若干个孔洞,所述孔洞由胶体的底部向顶部延伸。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述孔洞排列形成一孔洞组合,所述孔洞组合为矩形、圆形或蜂巢形。
3.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述孔洞排列形成一孔洞组合,所述孔洞组合包括若干个由孔洞组合的中心向外放射状延伸的孔洞阵列,所述孔洞阵列呈直线形。
4.如权利要求3所述的发光二极管,其特征在于:所述孔洞组合的中心与胶体的中线相重合,最靠近胶体中线的孔洞合围形成一围绕胶体中线的圆。
5.如权利要求4所述的发光二极管,其特征在于:该圆正对所述发光芯片。
6.如权利要求3所述的发光二极管,其特征在于:所述孔洞阵列均匀的分布于所述胶体上。
7.如权利要求6所述的发光二极管,其特征在于:所述孔洞阵列的各孔洞等间距的分布于所述胶体上。
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光二极管,其特征在于:所述孔洞的壁部黏附有荧光粉。
9.一种发光二极管的制造方法,包括:
提供一具有多个成型柱的第一模具及一具有空腔的第二模具,所述成型柱由第一模具的顶部向底部延伸;
将第一模具置入第二模具的空腔内,并使成型柱的底端与空腔的底部间隔一定距离;
注入透光性材料;
冷却;
移除第一及第二模具,形成具有多个孔洞的胶体,所述孔洞的上端开口,下端封闭;
提供一具有碗杯的基座,并将发光芯片固定至基座的碗杯内;
使孔洞的开口朝下,将胶体固定至基座的碗杯内,并将所述发光芯片封装,从而得到所述发光二极管。
10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:还包括将荧光粉填充至胶体的孔洞内。
11.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述孔洞排列形成一孔洞组合,所述孔洞组合包括由孔洞组合的中心向外放射状延伸的若干个孔洞阵列,各孔洞阵列中的孔洞呈直线形排列。
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