[发明专利]一种非晶硅太阳能电池铝膜蚀刻方法及蚀刻油墨有效
申请号: | 200810067105.3 | 申请日: | 2008-05-07 |
公开(公告)号: | CN101276789A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 李毅;熊正根 | 申请(专利权)人: | 李毅 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/3213;H01L31/20;C23F1/36 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所 | 代理人: | 张艺影;李奕晖 |
地址: | 518029广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 太阳能电池 蚀刻 方法 油墨 | ||
技术领域
本发明涉及一种非晶硅太阳能电池铝膜蚀刻技术,是生产非晶硅太阳能电池,铝背电极图案的蚀刻剂及蚀刻方法。
背景技术
非晶硅太阳能电池的结构,是在玻璃板上沉积了一层SnO2(或ITO)导电膜,经化学气相沉积在导电膜上沉积一层非晶硅,在非晶硅上沉积背电极铝膜。本申请人前期采用蚀刻非晶硅太阳能电池铝膜的方法是用三氯化铁-硫酸铜油墨进行蚀刻(已申请专利,申请号:200610156980.X),这种蚀刻油墨及其蚀刻方法,能有效蚀刻太阳能电池铝膜,并形成各种复杂图案;但采用这种方法蚀刻后产生的铜、铁金属导电物质等残渣,并附着在非晶硅上,清洗困难,生产效率低,不适合大规模生产。中国专利200410038200.2“使用非晶硅碳罩幕蚀刻铝层的方法”,采用非晶硅形成碳罩幕进行保护,再用等离子体蚀刻铝层,该方法需用昂贵的等离子体设备,蚀刻工序多,成本高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种成本低、易于清洗的蚀刻油墨。
另一个目的是提供一种非晶硅薄膜太阳能电池铝膜蚀刻方法,防止单元电池周边短路,提高生产效率,便于大规模连续化生产。
为了实现本发明的目的,本发明根据如下化学反应原理:
2Al+2OH-1+6H2O=2[Al(OH)4]-1+3H2↑
本发明所采用的技术方案是:一种非晶硅薄膜太阳能电池制造方法,由大规模集成串联式电池单元节构成,至少由一个电池单元节构成单元电池,以透明基板为衬底,依序层叠前电极层、薄膜电池层、铝背电极层,并用碱性蚀刻浆料在单元电池周边的背电极铝膜上丝印蚀刻出防短路的隔离槽。蚀刻的隔离槽可以是圆形、圆环、条形、扇形、方形或N边形。
所采用的碱性蚀刻浆料是一种在铝膜电极上丝印的油墨,其原料配比为:碱:2.7-9.1%(W/W),水:81-86%(W/W),增稠剂:5.4-7.3%(W/W),水性消泡剂:0.3-0.7%(W/W),水性流平剂:1.5-1.8%(W/W)。
所说的碱是氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾中的一种,增稠剂是丙烯酸聚合物,消泡剂是水性消泡剂,流平剂是水性流平剂,溶剂是水。
本发明碱性蚀刻油墨制作方法如下:在一个耐碱性的容器中加入2.7-9.1份重量的氢氧化钠(或氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾),再加81.0-86.0份重量的水,搅拌溶解后,加入5.4-7.3份重量的增稠剂W-115(或W-116),搅拌增稠后,加入0.3-0.7份重量的水性消泡剂W-090(或W-096),1.5-1.8份重量的水性流平剂。继续搅拌均匀即可。
蚀刻工艺步骤如下:
A.制作并准备碱性蚀刻油墨。
B.按要求制作丝网图案。
C.将碱性蚀刻油墨通过丝网漏印到非晶硅太阳能电池板上。
D.丝印后的电池板室温下水平放置30-60分钟。
E.用水冲洗干净。
本发明的积极效果是,采用碱性蚀刻油墨及生产工艺,能有效蚀刻非晶硅上铝膜,并形成各种复杂图案,能有效防止单元电池周边短路。蚀刻后产生的碱性金属离子容易清洗,提高了生产效率,有利于大规模连续化生产。采用廉价的水作为溶剂,降低了生产成本。丝印油墨后的产品,不需要加温腐蚀,能在室温下腐蚀,而不会产生毛刺现象。
附图说明
图1、是本发明非晶硅太阳能电池结构截面图。
图2、是本发明蚀刻后非晶硅太阳能电池结构截面图。
图3、是本发明蚀刻前方型非晶硅太阳能电池结构俯视图。
图4、是本发明蚀刻后方型非晶硅太阳能电池结构俯视图。
上述图中,1是透明基板,2是前电极层,3是非晶硅薄膜电池层,4是铝背电极层,5是隔离槽,6是背漆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造