[发明专利]一种闪存芯片的物理操作方法

权利要求书

1.一种闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述闪存芯片具有若干个存储块，其中包括若干个好的存储块与若干个坏的存储块，所述物理操作方法为：

将每个好的存储块分成若干个小块，对于每个存储块，以小块为单位进行数据的写操作或者读操作；

将每个坏的存储块分成若干个小块，对于每个存储块，以小块为单位对其中无坏页的小块进行数据的写操作或者读操作；

所述存储块中的小块的存储容量为一个页或者多个页；

其中，所述闪存芯片进一步具有一控制层，所述控制层存储每个存储块的块物理地址及其状态属性、每个小块的小块物理地址及其状态属性，所述状态属性、存储块的块物理地址以及小块的小块物理地址的对应关系或者集合记录表均存于所述闪存芯片的控制层中。

2.如权利要求1所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述物理操作方法中，对于每一个存储块，以存储块为单位进行擦除操作。

3.如权利要求1所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，每个小块具有一个小块物理地址，按照所述小块的物理地址寻址进行以小块为单位的写操作或者读操作。

4.如权利要求1所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，每个小块具有一个状态属性，所述状态属性为可利用或者不可利用，进行所述以小块为单位的存储块写操作时，如果其状态属性为可利用，则写入，如果其状态属性为不可利用，则跳过；进行所述以小块 为单位的存储块读操作时，如果其状态属性为可利用，则读出，如果其状态属性为不可利用，则跳过。

5.如权利要求1所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述存储块中的每一个小块的存储容量相等。

6.如权利要求1所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，每个坏块存储块中的小块存储容量由其坏页的数量或密度来决定。

7.如权利要求2所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，每个存储块对应一个块物理地址，根据所述块物理地址寻址进行所述以存储块为单位的擦除操作。

8.一种闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述闪存芯片具有若干个坏块存储块，所述物理操作方法包括：

A1、每个坏块存储块分成若干小块，有坏页存在的小块为不可利用，其余的小块为可利用；

B1、由两个或两个以上坏块中的部分或全部可利用小块重新组成一个新的存储块；所述新的存储块的存储容量与原来的存储块的存储容量相等；所述新的存储块中，小块的存储容量为一个页或者多个页；

C1、以所述新的存储块为单位进行物理操作，所述物理操作为读操作、擦除操作或者写操作；

其中，所述闪存芯片进一步具有一控制层，所述控制层存储每个存储块的块物理地址及其状态属性、每个小块的小块物理地址及其状态属性，所述状态属性、存储块的块物理地址以及小块的小块物理地址的对应关系或者集合记录表均存于所述闪存芯片的控制层中。

9.如权利要求8所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于， 所述新的存储块中，小块的存储容量为一个页或者多个页。

10.如权利要求8所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述存储块中小块的存储容量相等。

11.如权利要求8所述的闪存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述新的存储块中每一个小块的存储容量由坏块存储块中坏页的数量或密度来决定。