[发明专利]发光二极管的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810067587.2 申请日: 2008-06-04
公开(公告)号: CN101599442A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 张家寿 申请(专利权)人: 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有环保、亮度高、省电、寿命长等诸多特点,渐渐成为主要照明光源。业内通常是将发光二极管晶片切割成发光二极管晶粒,然后再将发光二极管晶粒逐一安装于基座内,从而完成发光二极管的封装。然,该制造方法取放发光二极管晶粒的动作是序列式,须逐个取放发光二极管晶粒,限制发光二极管的封装速度。

发明内容

鉴于此,有必要提供一种封装速度较高的发光二极管制造方法。

一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供一发光二极管晶片及一第一粘着层,其中该发光二极管晶片包括正面及背面,将发光二极管晶片的背面固定于第一粘着层上;把发光二极管晶片切割形成若干发光二极管晶粒,其中每一发光二极管晶粒包括正面及背面,每一发光二极管晶粒的背面固定于第一粘着层上;提供一第二粘着层,将第二粘着层平贴于所有发光二极管晶粒的正面,使该若干发光二极管晶粒固定于第二粘着层上;将该若干发光二极管晶粒与第一粘着层分离;提供一基座,将第二粘着层平贴于基座上,其中该基座上开设有若干凹座,该若干凹座与该若干发光二极管晶粒一一对应,每一发光二极管晶粒与其相对应的凹座相对;将该若干发光二极管晶粒与第二粘着层分离,使每一发光二极管晶粒分别落入与其对应的凹座内;把该若干发光二极管晶粒固定于与其相对应的凹座内,利用导线把每一发光二极管晶粒电连接于基座上,并向基座的凹座内填充透光材料,该透光材料分别包覆每一发光二极管晶粒。

与现有技术相比较,本发明的发光二极管制造方法中取放发光二极管晶粒动作采用平行方式,即把若干发光二极管晶粒一体组装于基座中,无须逐一将发光二极管晶粒置入基座中,提高了组装速度。

附图说明

图1为本发明发光二极管的制造方法一较佳实施例的流程图。

图2为图1所示方法中将发光二极管晶片固定于第一粘着层步骤的示意图。

图3为图1所示方法中形成发光二极管晶粒后的示意图。

图4为图1所示方法中将该若干发光二极管晶粒固定于第二粘着层后的示意图。

图5为图1所示方法中发光二极管晶粒与第一粘着层分离后的示意图。

图6为图1所示方法中将第二粘着层平贴于基座后的示意图。

图7为图1所示方法中落晶后的剖面示意图。

图8为图1所示方法中密封后的剖面示意图。

图9为图1所示方法中基座被切割后所形成的发光二极管的剖面示意图。

具体实施方式

如图1所示,本发明的发光二极管制造方法包括以下步骤:

首先,如图2所示,提供一发光二极管晶片1及一第一粘着层2,其中发光二极管晶片1是在基板上生长外延层而成,外延层为构成p-n结的半导体,外延层的材料可为砷化镓、磷砷化镓、砷化铝镓等,基板的材料可为蓝宝石等。发光二极管晶片1具有正面11及背面12,发光二极管晶片1的正面11靠近外延层一侧,发光二极管晶片1的背面靠近基板一侧,将发光二极管晶片1的背面12粘贴固定于第一粘着层2上。第一粘着层2可选用热分离胶带或紫外线胶带,其中紫外线胶带可通过照射紫外线方式失去粘性,热分离胶带则通过加热方式失去粘性。

其次,如图3所示,形成若干发光二极管晶粒3,即把发光二极管晶片1切割成若干发光二极管晶粒3,每一发光二极管晶粒3包括正面31及背面32,该若干发光二极管晶粒3的背面32仍固定于第一粘着层2上。切割方式可采用轮刀式、钻石式及激光等方法。

再次,如图4所示,即提供一第二粘着层4,将该若干发光二极管晶粒3一体粘贴固定于第二粘着层4上,该第二粘着层4与第一粘着层2相同,可为热分离胶带或紫外线胶带,将第二粘着层4平贴于所有发光二极管晶粒3的正面31,第二粘着层4与第一粘着层2相对设置,发光二极管晶粒3连接于第一粘着层2与第二粘着层4之间。

然后,如图5所示,将发光二极管晶粒3与第一粘着层2分离,使发光二极管晶粒3仅通过正面31粘着在第二粘着层4上。当第一粘着层2为热分离胶带时,可通过加热第一粘着层2的方式,使得第一粘着层2失去粘性,从而发光二极管晶粒3与第一粘着层2分离。当第一粘着层2为紫外线胶带时,可通过紫外线照射第一粘着层2的方式,使得第一粘着层2失去粘性,从而发光二极管晶粒3与第一粘着层2分离。

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