[发明专利]薄膜晶体管基板与薄膜晶体管母基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管母基板，其包括一绝缘基底、多个薄膜晶体管阵列和多个线路区，该薄膜晶体管阵列和该线路区设置于该绝缘基底的同一表面，每一线路区包括多条线路，该多个薄膜晶体管阵列通过线路区的多条线路电连接，其特征在于：每一线路包括至少两个金属部分和桥接保护部分，该至少两个金属部分通过该桥接保护部分电连接，该桥接保护部分的构成材料是一种抗腐蚀的导电材料。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管母基板，其特征在于：该至少两个金属部分包括两个第一金属部分和一个第二金属部分，该两个第一金属部分分别电连接该薄膜晶体管阵列，该第一金属部分与该第二金属部分通过该桥接保护部分电连接。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管母基板，其特征在于：每一第一金属部分与第二金属部分之间有一沟槽，该桥接保护部分覆盖该沟槽，并填充该沟槽。

4.如权利要求1、2或3中任意一项所述的薄膜晶体管母基板，其特征在于：该抗腐蚀的导电材料是氧化铟锌或氧化铟钛。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管母基板，其特征在于：该薄膜晶体管阵列包括多个像素电极，构成该像素电极的材料与该桥接保护部分相同，该像素电极与该桥接保护部分在同一掩膜工艺中形成。

6.一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、一薄膜晶体管阵列和多条线路，该薄膜晶体管阵列和该多条线路设置于该绝缘基底的同一表面，其特征在于：每一条线路包括一第一金属部分、一第二金属部分和一桥接保护部分，该第一金属部分电连接该薄膜晶体管阵列，该第二金属部分用于电连接一外部电路，该第二金属部分与该第一金属部分通过该桥接保护部分电连接，该桥接保护部分的构成材料是一种抗腐蚀导电材料。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第一金属部分与该第二金属部分之间有一沟槽，该桥接保护部分覆盖并填充该沟槽。

8.如权利要求6或7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该抗腐蚀导电材料是氧化铟锌或氧化铟钛。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管阵列包括多个像素电极，构成该像素电极的材料与该桥接保护部分相同，该像素电极与该桥接保护部分在同一掩膜工艺中形成。

10.一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、一薄膜晶体管阵列和多条线路，该薄膜晶体管阵列和该多条线路设置于该绝缘基底的同一表面，其特征在于：每一条线路包括一第一金属部分、一第二金属部分和一桥接保护部分，该第一金属部分电连接该薄膜晶体管阵列，该第二金属部分用于电连接一外部电路，该第二金属部分与该第一金属部分通过该桥接保护部分电连接，该桥接保护部分可以防止金属部分的腐蚀通过该桥接保护部分。