[发明专利]重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法有效
| 申请号： | 200810067868.8 | 申请日： | 2008-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101515539A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 李国延 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 518029广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 硅片 腐蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)用双氧水和氨水的混合液处理重掺杂锑硅片；
(2)用去离子水冲洗重掺杂锑硅片；
(3)将表面保留有水膜的重掺杂锑硅片放入主要由氢氟酸和硝酸组成的酸性腐蚀液中反应。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)的双氧水和氨水的体积比为1∶1～5。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)的双氧水和氨水的体积比为1∶1。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述双氧水的质量百分比浓度为90％～100％，所述氨水为饱和氨水。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述双氧水的质量百分比浓度为95％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)的处理时间为1～10分钟。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)的处理时间为2～3分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，用去离子水冲洗的时间为3～5分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
