[发明专利]触摸式液晶显示屏的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810068318.8 申请日: 2008-07-04
公开(公告)号: CN101620348A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 姜开利;刘亮;范守善;陈杰良;郑嘉雄;吴志笙 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/133;G06F3/045;C01B31/02
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地址: 100084北京市海淀区清华园1*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 触摸式 液晶显示屏 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种触摸式液晶显示屏的制备方法,尤其涉及一种基于碳纳米管的触摸式液晶显示屏的制备方法。

背景技术

近年来,伴随着移动电话与触摸导航系统等各种电子设备的高性能化和多样化的发展,在液晶显示屏等显示元件的前面安装透光性的触摸屏的电子设备逐步增加。

按照触摸屏的工作原理和传输介质的不同,现有的触摸屏通常分为四种类型,分别为电阻式、电容感应式、红外线式以及表面声波式。其中电阻式触摸屏的应用最为广泛,请参见文献“Production of Transparent ConductiveFilms with Inserted SiO2 Anchor Layer,and Application to a Resistive TouchPanel”Kazuhiro Noda,Kohtaro Tanimura.Electronics and Communications inJapan,Part 2,Vol.84,P39-45(2001)。

现有的电阻式触摸屏一般包括一上基板,该上基板的下表面形成有一上透明导电层;一下基板,该下基板的上表面形成有一下透明导电层;以及多个点状隔离物(Dot Spacer)设置在上透明导电层与下透明导电层之间。其中,该上透明导电层与该下透明导电层通常采用具有导电特性的铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)层(下称ITO层)。当使用手指或笔按压上基板时,上基板发生扭曲,使得按压处的上透明导电层与下透明导电层彼此接触。通过外接的电子电路分别向上透明导电层与下透明导电层依次施加电压,触摸屏控制器通过分别测量第一导电层上的电压变化与第二导电层上的电压变化,并进行精确计算,将它转换成触点坐标。触摸屏控制器将数字化的触点坐标传递给中央处理器。中央处理器根据触点坐标发出相应指令,启动电子设备的各种功能切换,并通过显示器控制器控制显示元件显示。

然而,ITO层作为透明导电层通常采用离子束溅射或蒸镀等工艺制备,在制备的过程,需要较高的真空环境及需要加热到200~300℃,因此,使得 ITO层的制备成本较高。此外,ITO层作为透明导电层具有机械性能不够好、难以弯曲及阻值分布不均匀等缺点。另外,ITO在潮湿的空气中透明度会逐渐下降。从而导致现有的电阻式触摸屏及显示装置存在耐用性不够好,灵敏度低、线性及准确性较差等缺点。由此可见,采用该触摸屏的触摸式液晶显示屏具有制备工艺复杂,成本高,耐用性差,灵敏度低,且线性及准确性差等不足。

因此,确有必要提供一种制备触摸式液晶显示屏的方法,该方法具有工艺简单,成本低等优点,且制备的触摸式液晶显示屏耐用性好,灵敏度高,线性及准确性强。

发明内容

一种触摸式液晶显示屏的制备方法,其包括以下步骤:

制备一触摸屏,该触摸屏中透明导电层采用一碳纳米管层;

形成一偏光层于上述触摸屏的一表面;制备一薄膜晶体管面板,该薄膜晶体管面板包括一薄膜晶体管阵列;

设置一液晶层于上述触摸屏的偏光层与薄膜晶体管面板的薄膜晶体管阵列之间,从而得到一触摸式液晶显示屏。

与现有技术的触摸式液晶显示屏的制备方法相比较,本技术方案提供的触摸式液晶显示屏的制备方法具有以下优点:其一,由于碳纳米管层具有优异的力学特性并且耐弯折,故,采用上述的碳纳米管层作透明导电层,可使得透明导电层具有很好的韧性和机械强度。进一步地,与柔性基体配合,可以制备一柔性触摸式液晶显示屏,从而适合用于柔性显示装置上。其二,由于本实施例所提供的碳纳米管薄膜由一拉伸工具拉取而获得,该方法无需真空环境和加热过程,故采用上述的方法制备的碳纳米管薄膜用作透明导电层及制备的触摸式液晶显示屏,具有成本低、环保及节能的优点。其三,由于所述偏光层中的碳纳米管沿同一方向排列,具有偏光作用,所以可以简化该触摸式液晶显示屏的结构。其四,由于本实施例提供的碳纳米管薄膜可通过一热压过程粘结在基体上,从而降低了制作成本,简化了制作工艺。

附图说明

图1是本技术方案实施例的触摸式液晶显示屏的制备方法的流程图。

图2是本技术方案实施例的触摸式液晶显示屏的结构示意图。

图3是本技术方案实施例的触摸屏的制备工艺流程图。

图4是本技术方案实施例中碳纳米管薄膜的扫描电镜图。

图5是本技术方案实施例的热压过程示意图。

图6是本技术方案实施例的上基板的制备工艺流程图。

图7是本技术方案实施例的下基板的制备工艺流程图。

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