[发明专利]电子发射器件

权利要求书

1.一种电子发射器件，其包括：

一绝缘基底；

多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；以及

多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内；

其特征在于，每个电子发射单元中包括两个相对设置的电子发射体，该两个电子发射体分别与第一电极和第二电极电连接，每个电子发射体包括一碳纳米管阵列片断，所述的电子发射体包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述的电子发射体的第二端包括多个场发射尖端，每个场发射尖端包括多个并列设置的碳纳米管，相邻的场发射尖端顶部之间的距离大于第一端的相邻碳纳米管之间的距离。

2.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，所述的碳纳米管阵列片断包括多个并列且均匀分布的碳纳米管。

3.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，每个电子发射单元中，两个电子发射体的第一端分别与所述第一电极及第二电极电连接，且两个电子发射体的第二端正对设置形成一间隙。

4.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，每个电子发射单元中所述的两个电子发射体中的碳纳米管的延伸方向一致，每个电子发射体中的碳纳米管从电子发射体的第一端向第二端延伸。

5.如权利要求3所述的电子发射器件，其特征在于，所述的电子发射体的第一端通过分子间力或导电胶与第一电极或第二电极电连接。

6.如权利要求3所述的电子发射器件，其特征在于，所述的间隙的大小为0.1微米-20微米。

7.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，所述电子发射体的第一端中的碳纳米管相互平行、均匀分布，维持碳纳米管阵列的形态，且电子发射体的第一端中相邻的碳纳米管之间的间距为0.1纳米-5纳米。

8.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，所述的场发射尖端的直径沿远离电子发射体第一端的方向逐渐减小。

9.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，所述的场发射尖端的顶部为电子发射端，同一电子发射体中相邻的电子发射端之间的距离为50纳米-500纳米。

10.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，所述的电子发射体的长度为100微米-500微米，直径为30微米-70微米。

11.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，所述的碳纳米管的直径为0.5纳米-50纳米，长度为100微米-500微米。

12.如权利要求1所述的电子发射器件，其特征在于，所述电子发射器件中的每个第一电极进一步包括多个间隔排列的延伸部，该多个延伸部分别对应设置于每个电子发射单元内。

13.如权利要求12所述的电子发射器件，其特征在于，所述多个延伸部均设置于所述第一电极的同一侧，并至少部分与相应网格内的第二电极正对。

14.如权利要求12所述的电子发射器件，其特征在于，所述的延伸部与第二电极之间的距离为200微米-1毫米。