[发明专利]防静电TFT基板及其加工工艺

权利要求书

1.一种用于防静电TFT基板的加工工艺，所述的防静电TFT基板为在TFT基板上设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层的防静电TFT基板，其特征在于所述的防静电TFT基板的加工工艺包括如下的步骤：

A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；

B：选用连续磁控溅射镀膜机完成镀膜：首先确定工艺参数：基片加热温度为50～70℃，镀膜室传动速度频率为15～18HZ，加热时间为15～25分钟，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室总气压为0.3～0.5Pa，使用隔位的两个靶或多个靶进行镀膜，镀膜室氩气流量为180～250Sccm，镀膜室真空度3.0*10^-1Pa～5.0*10^-1Pa之间，基板温度由70℃上升到85℃，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层膜层；氧化铟锡膜层膜厚控制在氩气的气体纯度为99.99％。

2.如权利要求1中所述的防静电TFT基板的加工工艺，其特征在于其优选的工艺步骤和参数如下：

A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；

B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为18HZ，加热时间为15分钟，按以下方法进行溅射镀膜：总气压为0.5Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由70℃上升到85℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，氧化铟锡膜层膜厚控制在镀膜室氩气的流量为180～250Sccm，镀膜室真空度4.0*10^-1Pa～5.0*10^-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。