[发明专利]一种超纯冶金硅的制备方法无效
| 申请号： | 200810068852.9 | 申请日： | 2008-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101353167A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 吴展平 | 申请（专利权）人： | 贵阳高新阳光科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人： | 徐逸心 |
| 地址： | 550014贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 制备 方法 | ||
1.一种超纯冶金硅的制备方法，包括用于制造太阳能电池硅材料的初级提纯方法，其特征在于该方法采用物理冶金技术，以不低于99.5％的工业硅粉作原料，经过酸化学预处理后，将硅粉和造渣剂混匀在熔炼炉里的石英坩埚内，在微真空或常压下，向熔炼炉内吹入保护性气体，加热，使炉内温度达1400～1700℃，将金属硅熔炼成硅熔体；进行造渣除杂；最后进行定向凝固得杂质总量低于100ppma的超纯冶金硅。
2.根据权利要求1所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征是硅粉粒度80～300目，优选范围为100～200目。
3.根据权利要求1或2所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征是加热熔硅操作所用的电炉是感应熔炼炉，用电磁感应加热，优选加热温度范围从1400～1500℃，最佳温度1450℃。
4.根据权利要求1或2所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征是向熔硅中吹入的气体是氩气或氮气。
5.根据权利要求3所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征是向熔硅中吹入的气体是氩气或氮气。
6.根据权利要求1或2所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征是加入的造渣剂为Na2O-CaO-SiO2或BaO-CaO-SiO2，加入量为硅质量的5％-15％，造渣剂的摩尔比为：1∶1∶1。
7.根据权利要求5所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征是加入的造渣剂为Na2O-CaO-siO2或BaO-CaO-SaO2，加入量5％～15％，造渣剂的摩尔配比为：1∶1∶1。
8.根据权利要求1或2所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征是炼好的熔硅进行定向凝固时，熔硅的冷却速度是30～35℃/hr。
9.根据权利要求7所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征在于炼好的熔硅进行定向凝固时，熔硅的冷却速度是30～35℃/hr。
10.根据权利要求9所述的一种超纯冶金硅的制备方法，其特征是炉内微真空度为4000pa～10000pa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵阳高新阳光科技有限公司，未经贵阳高新阳光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810068852.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
