[发明专利]脉冲激光扫描直接制备α－FeSi2薄膜的工艺

权利要求书

1.一种脉冲激光扫描直接形成α-FeSi₂薄膜的制备方法，其特征为首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50-100nm的金属Fe膜，随后在空气中采用二极管泵浦激光器(Nd:YAG)产生的脉冲激光对金属Fe膜进行扫描，直接获得Fe-Si化合物中的高温金属相α-FeSi₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的脉冲激光扫描直接形成α-FeSi₂薄膜的制备方法，其特征是采用直流磁控溅射方法，在溅射仪中，以纯度为99.95％的金属铁作靶材，以Si(100)作基片，在Si基片上沉积一层厚度约50-100nm的金属Fe膜，溅射沉积条件是在室温下溅射沉积，溅射参数为：背底真空2×10^-5Pa，溅射气压1.0-2.5Pa，Ar气流量15-30SCCM，溅射功率80-100W，基片偏压-50V。

3.根据权利要求1或2所述的脉冲激光扫描直接形成α-FeSi₂薄膜的制备方法，其特征是对磁控溅射沉积在Si基片上的Fe膜，在空气中采用二极管泵浦激光器((Nd:YAG)产生的脉冲激光进行扫描，直接获得Fe-Si化合物中的高温金属相α-FeSi₂薄膜，激光扫描条件是：激光波长λ＝1.06μm，脉冲宽度140ns，激光能量密度0.95 J cm^-2，扫描后直接形成了α-FeSi₂薄膜。

4.根据权利要求1或2所述脉冲激光扫描直接形成α-FeSi₂薄膜的制备方法，其特征是用该方法获得的α-FeSi₂薄膜产品。

5.根据权利要求3所述脉冲激光扫描直接形成α-FeSi₂薄膜的制备方法，其特征是用该方法获得的α-FeSi₂薄膜产品。