[发明专利]含应力缓和层的硬质薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200810070037.6 | 申请日: | 2008-07-25 |
公开(公告)号: | CN101323945A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 聂朝胤;田鹏;曲燕青;张碧云 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/24;C23C8/24 |
代理公司: | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 | 代理人: | 周韶红 |
地址: | 400716*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应力 缓和 硬质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1、含应力缓和层的硬质薄膜,其特征在于,在硬质薄膜中间隔含有相同金属的应力缓和层。
2、根据权利要求1所述的硬质薄膜,其特征在于,硬质薄膜为以TiN、CrN、TiAlN、TiCrN、TiSiN或CrSiN为主要成分的硬质薄膜。
3、根据权利要求1或2所述的硬质薄膜,其特征在于,应力缓和层为Ti层或Cr层。
4、根据权利要求1或2所述的硬质薄膜,其特征在于,应力缓和层的间距在1.5um~4.5um间,应力缓和层的厚度在10nm~52nm间。
5、含应力缓和层的硬质薄膜的制备方法,其其特征在于,采用离子镀膜技术,使金属或合金阴极蒸发获得金属离子,然后使这些金属离子在氮气气氛中发生反应生成硬质氮化物薄膜,在氩气气氛中反应生成金属应力缓和层,生成硬质氮化物薄膜称为A过程,生成金属应力缓和层称为B过程;通过A过程与B过程交替进行得到具有规定厚度的氮化物和金属交替层。
6、根据权利要求5所述的方法,其其特征在于,A过程与B过程交替5次以上,金属应力缓和层2层以上。
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