[发明专利]基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片及其加工工艺

权利要求书

1.一种基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片，其特征在于：它由外壳、固定于外壳内的微电极阵列芯片、连通外壳内外的进出样导管和封装在外壳表面的硅玻璃片组成；所述微电极阵列芯片采用绝缘体上硅材料，从下至上依次由硅质基底层、二氧化硅绝缘层、低阻硅电极层和二氧化硅保护膜构成，采用微加工技术在低阻硅电极层上刻蚀凹槽至二氧化硅绝缘层形成微电极阵列结构，微电极阵列结构与上下的硅玻璃片和二氧化硅绝缘层组成了微通道，所述微通道为直线型，在芯片上集成至少两条，微通道两端的进样口和出样口与导管相连，开展细胞的连续流电融合，微电极阵列结构经引线与外壳底部对应引脚相连，微电极之间的直线型微通道为工作通道。

2.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片，其特征在于：所述微电极阵列结构的微电极排布方式分为对称型，即齿状微电极呈现水平对称的排布方式；或者交错型，即齿状微电极呈现交错对称的排布方式排布，或者平板-电极型，即一边梳齿上为齿状微电极，一边梳齿上为平板电极的排布方式。

3.根据权利要求1或2所述的基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片，其特征在于：所述细胞电融合芯片的微通道深度设定在50μm。

4.根据权利要求2所述的基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片，其特征在于：齿状微电极长度为20μm，宽度为20μm，相对微电极之间的间距设定在50～100μm，直线型微通道一侧的相邻齿状微电极间距设定在20～100μm。

5.根据权利要求1或2所述的基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片，其特征在于：所述微电极阵列引线为金丝，通过键合使微电极阵列与外壳底部对应引脚相连。

6.根据权利要求1或2所述的基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片，其特征在于：所述芯片的外壳、导管采用不锈钢加工制成，表面绝缘处理。