[发明专利]基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管无效
| 申请号： | 200810070524.2 | 申请日： | 2008-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101221996A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张永;李成;陈松岩;赖虹凯;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/0352;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 硅锗异质结光 晶体管 | ||
1.基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于设有硅基硅锗虚衬底，硅基硅锗虚衬底的硅锗层为弛豫Si1-yGey(0＜y≤1)，在硅基硅锗虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，在集电区、基区和发射区的台面上设有SiO2绝缘层；集电区为Si1-yGey层，吸收区为Si1-zGez(y＜z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1-xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1-yGey层；在集电区、基区和发射区上分别设电极。
2.如权利要求1所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于集电区的厚度为300～600μm。
3.如权利要求1或2所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于集电区与硅基硅锗虚衬底的硅锗层的晶格匹配。
4.如权利要求1所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于所述的多周期量子阱的周期数为5～20。
5.如权利要求1所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于Si1-zGez阱层的厚度为5～10nm。
6.如权利要求1所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于Si1-yGey垒层的厚度为15～25nm。
7.如权利要求1所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于基区的厚度为30～60nm。
8.如权利要求1所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于发射区的厚度为100～300nm。
9.如权利要求1所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于当集电区和发射区为P型，基区为N型，吸收区为非掺杂层，所得的光晶体管为P-i-N-P型光晶体管。
10.如权利要求1所述的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，其特征在于当集电区和发射区为N型，基区为P型，吸收区为非掺杂层，所得的光晶体管为N-i-P-N型光晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
