[发明专利]一种低损耗的半导体泵浦激光器有效
申请号: | 200810070753.4 | 申请日: | 2008-03-18 |
公开(公告)号: | CN101345392A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 吴砺;卢秀爱;陈新;陈卫民;孙玉 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | H01S3/109 | 分类号: | H01S3/109;H01S3/08;H01S3/16 |
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地址: | 350014福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 损耗 半导体 激光器 | ||
1.一种低损耗的半导体泵浦激光器,包括输出1083nm附近波长光作为基频光泵浦系统、 激光腔,激光腔为分立式激光腔或微片式激光腔,激光腔包括激光腔腔片、激光增益介质以 及非线性倍频晶体,激光增益介质为掺入Nd3+的激光增益介质,掺入Nd3+的激光增益介质 指的是Nd:YVO4、Nd:GdVO4或Nd:LuVO4;采用Nd3+离子4F3/2→4I11/2跃迁发射,其 特征在于:
a.当非线性倍频晶体采用一类相位匹配,并采用o+o→e结构时,非线性倍频晶体的轴 向与激光增益介质的光轴相互平行,倍频光相对激光增益介质为σ偏振;
b.当非线性倍频晶体采用一类相位匹配,并采用e+e→o结构时,非线性倍频晶体的轴 向与激光增益介质的光轴相互垂直,倍频光相对激光增益介质为σ偏振;
当非线性倍频晶体采用二类相位匹配时,并采用o+e→o结构时,在非线性倍频晶体和激光增 益介质之间插入半波片,半波片的光轴置于通光方向,并在激光增益介质光轴与非线性倍频 晶体轴向之间的夹角的中分线上,使倍频光相当于激光增益介质为o光。
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