[发明专利]镓极性氮化镓缓冲层的生长方法无效
| 申请号： | 200810070781.6 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101246821A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 刘宝林;郑清洪;黄瑾 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极性 氮化 缓冲 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，其特征在于包括以下步骤：
1)在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为1030～1050℃；
2)在纯H2气氛中保持高温一段时间，使第一层氮化镓缓冲层中氮极性氮化镓完全升华掉；
3)降低温度，在保留下来的镓极性氮化镓及蓝宝石衬底上低温生长第二层氮化镓缓冲层；
4)在纯H2气氛高温退火，得单纯镓极性氮化镓缓冲层。
2.如权利要求1所述的镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，其特征在于第一层氮化镓缓冲层的厚度为20～50nm。
3.如权利要求1所述的镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，其特征在于在纯H2气氛中保持高温一段时间的温度为900～950℃，保持高温的时间为5～10min。
4.如权利要求1所述的镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，其特征在于低温生长第二层氮化镓缓冲层的温度为500～600℃，第二层氮化镓缓冲层的厚度为20～30nm。
5.如权利要求1所述的镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，其特征在于所述在纯H2气氛中高温退火的温度为980～1000℃，退火的时间为5～10min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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