[发明专利]以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法无效
| 申请号： | 200810070841.4 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101249064A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 葛东涛;田向东;石巍;张其清 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | A61K9/00 | 分类号： | A61K9/00;A61K47/00;A61K47/34;A61M31/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 陈永秀;马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吡咯 药物 载体 磺化 铝酞菁 芯片 制备 方法 | ||
1. 以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)以单晶硅片为基底，通过微机电技术在硅片的表面构建由30～10000个金微电极组成的微电极阵列，微电极阵列中每个金微电极的通、断电状态为单独控制；
2)将构建后的微电极阵列浸入由吡咯单体和磺化铝酞菁组成的电解质溶液中，然后采用恒电位法或循环伏安法在每个金微电极上生长掺杂磺化铝酞菁的聚吡咯膜，得到以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片。
2. 如权利要求1所述的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，其特征在于所述以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的面积为0.1～3cm2。
3. 如权利要求1所述的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，其特征在于所述微电极阵列中每个金微电极的面积为400～25000μm2，所述微电极阵列中每个金微电极的厚度为0.1～0.3μm。
4. 如权利要求1所述的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，其特征在于所述电解质溶液是吡咯单体和磺化铝酞菁水溶液，吡咯单体的浓度为0.05～1mol/L，磺化铝酞菁的浓度为0.01～0.5mol/L。
5. 如权利要求1或4所述的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，其特征在于所述磺化铝酞菁选自二磺化铝酞菁、三磺化铝酞菁或四磺化铝酞菁。
6. 如权利要求1所述的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，其特征在于当采用恒电位法制备聚吡咯膜时，电位施加范围为0.65～1.2V，施加时间为10～1000s。
7. 如权利要求1所述的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，其特征在于当采用循环伏安法制备聚吡咯膜时，电位扫描范围为0～1.2V，扫描速率为5～200mV/s，扫描周数为1～20周。
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