[发明专利]一种降低金属硅中氧、碳含量的方法无效
| 申请号： | 200810070925.8 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101386413A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 郑智雄 | 申请（专利权）人： | 南安市三晶硅品精制有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 362000福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 金属硅 含量 方法 | ||
1.一种降低金属硅中氧、碳含量的方法，包括以下步骤：
A、将1550℃～1950℃的处于熔融状态的硅液倒入盛硅容器中，盛硅容器的底部中央设有三个分别连接带有控气装置的氧气、氢气和水蒸气气源导入气头；
B、顺次吹入氧气、氢气和水蒸气，通入硅液中的氧气、氢气和水蒸气的摩尔比为1∶0.4～0.6∶0.4～0.6，氧气、氢气、水蒸气气体的压力均为1～2kg/cm2g，使氢气和氧气在硅液中反应产生局部高温，硅溶液中的O、C元素随气体排放而除去；C、连续通入氧气、氢气和水蒸气0.5～3小时。
2.根据权利要求1中所述的降低金属硅中氧、碳含量的方法，还包括以下步骤：取样分析检测，并根据检测结果决定是否重复步骤B，在硅液中O含量在3000ppm以下，C含量在600ppm以下时，结束操作。
3.根据权利要求1中所述的降低金属硅中氧、碳含量的方法，其特征在于：通入硅液中的氧气、氢气和水蒸气的摩尔比优选为1∶0.5∶0.5。
4.根据权利要求1中所述的降低金属硅中氧、碳含量的方法，其特征在于：所述氧气、氢气、水蒸气气源导入气头使用氧化镁、氧化锆或氧化铪中的一种制成。
5.根据权利要求1中所述的降低金属硅中氧、碳含量的方法，其特征在于：所述氧气、氢气、水蒸气气源导入气头呈三角形地设置在盛硅容器的底部中央。
6.根据权利要求1中所述的降低金属硅中氧、碳含量的方法，其特征在于：两相邻的导入气头之间用板状物隔离。
7.根据权利要求1中所述的降低金属硅中氧、碳含量的方法，其特征在于：所述盛硅容器为坩埚。
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