[发明专利]基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法

权利要求书

1.基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法，其特征在于所说的药物自动释放体系的制备方法如下：

1)以纯钛为基材，对钛片进行预处理，所述钛片的预处理过程为：依次用甲苯、丙酮、无水乙醇分别超声处理10min后，置于氢氟酸中浸泡30s，再用无水乙醇超声处理10min，取出用N₂吹干；

2)将预处理后的钛片的一个表面用绝缘材料密封；

3)将钛片浸入由吡咯单体和磺基水杨酸组成的水溶液中，采用电化学方法在钛片未密封的一侧表面上生长固载了磺基水杨酸的聚吡咯膜，反应结束后将一侧长有聚吡咯膜的钛片取出，用水清洗后再用N₂吹干，所述吡咯单体浓度为0.02～1.0mol/L，所述磺基水杨酸浓度为0.02～0.2mol/L，所述吡咯单体与磺基水杨酸的摩尔比为1～5∶1；所述电化学方法指恒电位法、恒电流法或循环伏安法，当采用恒电位法时，电位施加范围为0.80～1.1V，施加时间为60～1800s；当采用恒电流法时，电流密度为0.6～10.0mA/cm²，施加时间为60～1800s；当采用循环伏安法时，电位扫描范围为0～1.2V，电位扫描速率为5～200mV/S，扫描周数为1～50周；

4)将钛片密封一侧的绝缘材料除去，再涂布一层二十烷，即得最终的药物释放体系。

2.如权利要求1所述的基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法，其特征在于所述钛片的厚度为0.4～1.4mm，面积为100～150mm²。

3.如权利要求1所述的基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法，其特征在于所述绝缘材料为环氧树脂。