[发明专利]一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法

权利要求书

1.一种P型导电性的CuI单晶体，其特征在于：CuI晶体为γ相立方闪锌矿结 构，是具有直接带隙的P型半导体，晶体中掺杂了碘或硫或硒，掺杂质量百 分含量为10～1000ppm，其载流子浓度大于10¹⁵cm^-3，载流子迁移率大于10 cm²·V^-1·s^-1。

2.如权利要求1所述的P型导电性的CuI单晶体，其特征在于：该晶体的生长 方法为水热法，包括如下步骤：将CuI粉末培养料放入高压釜下部的溶解区， 将CuI籽晶放入高压釜的上部生长区，往高压釜中加入含有碘化铵、溴化铵、 碘化钾、碘化钠、碘化锂中的一种或几种的组合矿化剂水溶液，溶质摩尔浓 度为0.3～6.0mol/L，同时添加0.001～1％的碘或硫化物或硒化物。控制溶 解区温度为140～230℃，生长区的温度为120～210℃，使溶解区的温度高 于生长区的温度，控制温差为20～80℃，工作压力为1.0～50MPa，恒温生 长，最后降温开釜，即得到CuI晶体。

3.根据权利要求2所述的P型导电性的CuI单晶体的生长方法，其特征在于： 所述的硫化物为硫化钾或硫化钠或硫化锂；所述的硒化物为硒化钾或硒化钠 或硒化锂。

4.根据权利要求2所述的P型导电性的CuI单晶体的生长方法，其特征在于： 所述的组合矿化剂水溶液的填充度为50～90％。

5.根据权利要求2所述的P型导电性的CuI单晶体的生长方法，其特征在于： 所述的溶解区温度为180～200℃。

6.根据权利要求2所述的P型导电性的CuI单晶体的生长方法，其特征在于： 所述的生长区温度为140～160℃。

7.根据权利要求2所述的P型导电性的CuI单晶体的生长方法，其特征在于： 所述的温差为40～60℃。