[发明专利]双掺镱铒离子七钼酸四钆锂激光晶体及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200810071781.8 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101676444A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王国富;赵旺;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/00;C30B15/04;H01S3/16 |
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| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双掺镱铒 离子 钼酸 四钆锂 激光 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【权利要求书】：
1.一种双掺镱铒离子七钼酸四钆锂激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Li2Gd4(MoO4)7，属于四方晶系，晶胞参数为Dc＝5.49g/cm3。
2.一种权利要求1的双掺镱铒离子七钼酸四钆锂激光晶体，其特征在于：该晶体中Er3+离子作为激光激活离子，Yb3+离子作为敏化离子掺杂于晶体中，取代晶体中Gd3+离子的晶格位置，其掺杂浓度分别为：Er3+：0.1at.-5at.％，Yb3+：0.5at.-15at.％。
3.一种权利要求1的双掺镱铒离子七钼酸四钆锂激光晶体的制备方法，其特征在于：该晶体采用提拉法生长，以Gd2O3、Li2CO3、MoO3，Er2O3和Yb2O3为原料，按化学反应式：
Li2CO3+2Gd2O3+7MoO3＝＝Li2Gd4(MoO4)7+CO2的比例称样、混合、压片、烧结，而Er2O3、Yb2O3则按所需浓度加入；在铂金坩锅中，富氧气氛下提拉生长出晶体，晶体生长的参数为：生长温度为1080℃，提升速度为0.5～2.0毫米/小时，晶体转速为10～30转/分钟。
4.一种权利要求1的双掺镱铒离子七钼酸四钆锂激光晶体的用途，其特征在于：该晶体用于固体激光器中作为激光工作物质，产生1500nm波长的激光输出。
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