[发明专利]掺铒钼酸锂钡钆激光晶体及其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 200810071784.1 申请日: 2008-09-16
公开(公告)号: CN101676447A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 王国富;宋明君;张莉珍 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B9/00;H01S3/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 钼酸 锂钡钆 激光 晶体 及其 制备 方法 用途
【权利要求书】:

1.一种掺铒钼酸锂钡钆激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Er3+:Li3Ba2Gd3(MoO4)8,属于单斜晶系,具有C2/c空间群,晶胞参数为β=91.126°Dc=5.312g/cm3

2.一种权利要求1的掺铒钼酸锂钡钆激光晶体,其特征在于:该晶体中Er3+离子作为激光激活离子,掺杂于晶体中,取代晶体中Gd3+离子的晶格位置,其掺杂浓度在0.5at.-10at.%之间。

3.一种权利要求1的掺铒钼酸锂钡钆激光晶体的制备方法,其特征在于:该晶体采用熔盐顶部籽晶法生长,所用助熔剂为Li2MoO4,浓度控制在60at~80at%之间,生长温度在750~900℃之间,降温速率为0.5~2℃/天,晶体转速为5~30rpm。

4.一种权利要求1的掺铒钼酸锂钡钆激光晶体的用途,其特征在于:该晶体用于固体激光器中作为激光工作物质,产生1500nm波长的激光输出。

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