[发明专利]纳米SnO2种子嵌入涂层钛阳极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810071889.7 申请日: 2008-10-07
公开(公告)号: CN101372751A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 王欣;唐电;颜琦;朱君秋;张腾;邵艳群 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C25B11/04 分类号: C25B11/04
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 代理人: 蔡学俊
地址: 350002*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 纳米 sno sub 种子 嵌入 涂层 阳极 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米SnO2种子嵌入涂层钛阳极,其特征在于:所述的钛阳极表面沉积活性涂层,所述的钛阳极的活性涂层为添加纳米SnO2种子的氧化物涂层;所述纳米SnO2种子具有以金红石结构为主的相结构;所述纳米SnO2种子粒径<40nm;制备添加纳米20%SnO2的种子的Ru-Sn涂层或制备添加纳米30%SnO2的种子的Ru-Ti-Sn涂层钛阳极。

2.根据权利要求1所述的纳米SnO2种子嵌入涂层钛阳极,其特征在于:所述纳米SnO2种子粒径为4~16nm。

3.一种如权利要求1或2所述的纳米SnO2种子嵌入涂层钛阳极的制备方法,其特征在于:所述的制备方法为:

1)将纳米SnO2种子添加于活性溶液之中,获得含纳米SnO2种子的氧化物活性涂料;

2)将涂料按常规的沉积法沉积于钛基材上;

3)经过常规的后续热处理获得纳米SnO2种子嵌入涂层钛阳极。

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