[发明专利]一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法有效
| 申请号： | 200810072030.8 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101397693A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张双翔;蔡建九;张银桥;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 质量 氮化 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长单晶氮化铟薄膜的方法，其特征在于：
先在金属有机化学气相沉积系统中，在300℃-1000℃的温度下，对硅衬底进行去水气处理，载气为氢气，处理时间为10分钟-15分钟，压力为20Torr-700Torr；
再在硅衬底上利用金属有机化学气相沉积技术生长AlN缓冲层，载气为氢气，生长温度为1050℃-1110℃，生长厚度为10nm-200nm，生长反应所需要的五族源的摩尔量和三族源的摩尔量之比为4000-6000，生长压力为20Torr-100Torr；
然后继续利用金属有机化学气相沉积技术生长InN单晶外延，载气切换为氮气，生长温度为400℃-600℃，生长反应所需要的五族源的摩尔量和三族源的摩尔量之比为3000-20000，生长压力为20Torr-700Torr；
在InN单晶外延的生长过程中，通入CCl4，通入的剂量控制在0.1umol/min-10umol/min。
2.如权利要求1所述一种生长单晶氮化铟薄膜的方法，其特征在于：所述AlN缓冲层生长时，先通入金属有机源铝Al，通入时间为5秒-300秒，然后才通入氨气。
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