[发明专利]无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜的制备方法

权利要求书

1.无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜的制备方法，其特征在于无诱导磁场下 产生面内单轴磁各向异性的薄膜的组成及其按原子百分比的含量为磁性合金或磁性金属： 92％～98％，非磁性金属：2％～8％，薄膜具有纳米晶或非晶的微结构，薄膜的厚度为50～ 300nm；所述制备方法包括以下步骤：

1)将基片装入溅射室，安装上铁靶和非磁性金属靶，或铁钴合金靶和非磁性金属靶；

2)开启真空系统进行抽气，直至溅射室本底真空高于5×10^-4Pa；

3)基片加热，直至设定基片温度为室温～800℃；

4)向溅射室通入反应气体后保持工作气压在0.7～0.8Pa，使靶面起辉并先预溅射15～ 30min，铁靶或铁钴靶采用直流源供电，溅射功率为100～200W，靶距为8cm；搀杂靶为非 磁性金属材料，采用射频源供电，溅射功率为40～80W，待辉光稳定后，启动基片旋转按钮， 打开基片挡板，最后溅射沉积5～30min，得无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜；

所述基片选自石英基片，玻璃基片或单晶硅基片；所述石英基片和玻璃基片在装入溅射 室前依次采用酒精、丙酮和蒸馏水超声清洗干净，然后用铬酸浸泡至少8h，再用蒸馏水洗净， 最后用氮气枪吹干后放入烘箱烘干；而单晶硅基片在装入溅射室前采用NH₃·H₂O和H₂O₂配 制的碱性水溶液，HCl和H₂O₂配制的酸性水溶液超声洗净，后用HF酸漂洗，再用蒸馏水洗 净，最后用氮气枪吹干后烘干。

2.如权利要求1所述的无诱导磁场下产生面内单轴磁各向异性的薄膜的制备方法，其特 征在于反应气体为氩气，或氩气和氮气，或氩气和氧气，或氩气、氮气和氧气。