[发明专利]一种透明β-氮化硅陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810073414.1 申请日: 2008-01-09
公开(公告)号: CN101215174A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 彭桂花;梁振华;李庆余;王红强;梁敏;李向果 申请(专利权)人: 广西师范大学
主分类号: C04B35/645 分类号: C04B35/645;C04B35/584
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 代理人: 马兰
地址: 541004广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 透明 氮化 陶瓷 及其 制备 方法
【说明书】:

(一)技术领域:

发明涉及非氧化物陶瓷领域,具体涉及一种透明β-氮化硅陶瓷及其制备方法。

(二)背景技术:

透明陶瓷的一大重要应用是作为结构部件被用于透明装甲、战术和战略导弹、航空航天飞机、无人战车等现代高尖端技术装备中。这些装备通常在高温、野外、太空、战场等十分恶劣的环境中使用,这就要求所用的透明材料既具备透光性,同时又具有很好的力学性能、抗热冲击性及化学稳定性等综合性能,以提高其可靠性。但是,现今研发的透明结构陶瓷如Al2O3、MgAl2O4、AlON、α-Sialon等力学性能和抗热冲击性不够理想,难以满足日益提高的使用要求。

与其它透明结构陶瓷相比,β-氮化硅(β-Si3N4)陶瓷在力学性能上具有非常明显的优势,如:β-氮化硅陶瓷断裂韧性可达10-12MPa·m1/2[C.Li,and J.Yamanis,Super-tough silicon nitride with R-curvebehavior,Ceram.Eng.Sci.Proc.10[7-8]632-645(1989)],而目前报道的透明结构陶瓷材料断裂韧性都较低,一般都低于3MPa·m1/2;β-氮化硅陶瓷的抗弯强度可达2GPa以上[N.Kondo,et al.Superplasticsinter-forging of silicon nitride with anisotropic microstructureformation,J.Am.Ceram.Soc.82[4]1067-1069(1999)],远高于其它透明结构陶瓷材料(一般低于400MPa)。β-氮化硅陶瓷还具有高热导率的优点,其热导率可达155W·m-1·K-1[K.Watari,et al.Hotisostatic pressing to increase thermal conductivity of Si3N4ceramics,J.Mater.Res.14[4]1538-1541(1999).]。目前报道的透明结构陶瓷材料,如Al2O3、AlON,其热导率一般只有20 W·m-1·K-1左右。而热导率的提高又可以使β-氮化硅陶瓷在一定温差下能更快达到温度均匀分布的状态,从而大幅度提高β-氮化硅陶瓷抗热震性能。

β-氮化硅陶瓷优良的力学性能、高的热导率及良好的抗热冲击性能使其在承受外来破坏、高温冲击等方面具有其它透明结构陶瓷不可比拟的优势。研究表明,由于β-Si3N4晶体结构的因素,β-Si3N4晶粒在烧结过程中易发展为长棒状,这些长棒状β-Si3N4晶粒在陶瓷中能够起到类似纤维补强的桥联、裂纹偏转等增韧作用,是β-氮化硅陶瓷具备优良力学性能的重要原因。但是,长棒状β-Si3N4晶粒的存在使透明β-氮化硅陶瓷的制备非常困难。长棒状β-Si3N4晶粒容易使晶界相富集在三叉晶界或多晶粒的连接处。由于晶界相和晶粒本身的折射率相差很大,导致光线大量的折射和散射,从而使得透光性大大的降低,使具有长棒状β-Si3N4晶粒组成的透明β-氮化硅陶瓷的制备非常困难。到目前为止有关由单一β-Si3N4相组成的透明陶瓷的研究工作鲜有报道。

(三)发明内容:

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