[发明专利]灰阶掩模的缺陷修正方法和制造方法以及灰阶掩模

权利要求书

1.一种灰阶掩模的缺陷修正方法，所述灰阶掩模在透明基板上形成半透光膜和遮光膜，通过施加规定的图案具有：遮光部；透光部；以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部，所述灰阶掩模用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案，

其特征在于，

利用所述半透光膜形成所述半透光部，

在所述半透光部产生缺陷时确定该缺陷部分，

决定用于在所述确定的缺陷部分形成修正膜的成膜装置和成膜材料，

在使用所述决定的成膜装置和成膜材料时，决定成膜面积以使所述曝光光的透过量在规定范围内，

形成所述决定了的成膜面积的所述修正膜。

2.如权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述成膜面积是如下这样决定的，即：在适用所述决定了的成膜装置和成膜材料时，设定成膜膜厚以使所述曝光光的透过量在所述规定范围内，在预先求出的成膜膜厚和成膜面积的相关关系上适用所述设定的成膜膜厚。

3.如权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

具有在形成所述修正膜之前，对于包含所述缺陷部分且面积与所述决定了的成膜面积大致相等的区域，使所述透明基板露出的工序。

4.如权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述缺陷部分与正常的半透光部相比，具有半透光膜的膜厚小或半透光膜缺失的部位，并是曝光光的透过量大于所述正常的半透光部的部分。

5.如权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述缺陷部分在半透光部附着有半透光膜以外的成份，并是曝光光的透过量小于正常的半透光部的部分。

6.如权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

在半透光部产生了多个缺陷部分时，对于该多个缺陷部分，分别形成大致相同的成膜面积的修正膜。

7.如权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

对于所述决定了的成膜面积的整数倍的区域，重复进行所述整数倍的次数的形成该决定了的成膜面积的修成膜的工序。

8.如权利要求1至7中的任一项所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

所述修正膜的成膜装置适用收敛离子束法。

9.一种灰阶掩模的制造方法，其特征在于，

包含基于权利要求1至7中的任一项所述的缺陷修正方法的缺陷修正工序。

10.一种灰阶掩模，其在透明基板上形成半透光膜和遮光膜，通过施加规定的图案具有：遮光部；透光部；以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部，所述灰阶掩模用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案，

其特征在于，

所述半透光部形成有多个大致一定面积或其整数倍面积的修正膜。

11.如权利要求10所述的灰阶掩模，其特征在于，

在所述半透光部预先形成的半透光膜与所述修正膜具有不同的组成。