[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200810074089.0 申请日: 2008-02-21
公开(公告)号: CN101252114A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 须永健儿 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具有:

半导体芯片,其形成有所希望的元件,在一主面侧设置有突起电极;

外部连接衬底,其设置在该半导体芯片的所述一主面侧;

所述外部连接衬底具有:

绝缘性膜,其比所述半导体芯片大;

外部连接电极,其覆盖自所述半导体芯片伸出的所述绝缘性膜的端部而设置,并与所述突起电极连接,

所述半导体芯片与所述外部连接衬底通过在它们之间填充的绝缘性粘接材料而一体地固定。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述绝缘性膜在两主面上设置有树脂层。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述外部连接电极覆盖所述绝缘性膜的所述两主面与侧面而设置。

4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,在所述绝缘性膜的所述端部设置有切口,所述外部连接电极覆盖所述切口。

5.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述元件是单功能的绝缘栅极型半导体元件。

6.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述绝缘性膜在一主面侧设置有加强材料。

7.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述突起电极由金、铜、金锡、焊锡中的任意一种构成。

8.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述绝缘栅极型半导体元件具有两个元件区域,在与连接所述突起电极的主面相对的主面上连接所述两个元件区域的漏极区域。

9.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,具有导电性粘接材料,其覆盖从所述半导体芯片伸出的所述外部连接电极,并将该外部连接电极与安装有所述半导体芯片的安装衬底的导电路连接。

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