[发明专利]绘图装置

说明书

技术领域

本发明涉及在印刷电路板的制造过程中将利用CAD等设计的布线图形转换为曝光图形(位图图像数据)的绘图装置。

背景技术

作为曝光装置之一的直接曝光装置是不使用掩模在印刷电路板上曝光布线图形的装置，在曝光时使用绘图装置将用CAD等进行设计的布线图形转换为适合曝光装置的曝光图形(将此称为光栅转换)。利用表示以矢量形式表现的图形的轮廓的线段(矢量图像)的集合来构成布线图形。另一方面，利用与曝光的析像清晰度对应的大小的2值(例如白和黑)的像素(位图图像)的集合来构成曝光图形，2值的其一被分配为曝光区域，另一个被分配在非曝光区域。

构成曝光对象的印刷电路板，由于周边环境等而产生挠曲、伸缩等变形，这点随每一张而不同。为了提高印刷电路板制造的成品率最好是按每一张来检测变形，并针对曝光图形进行与变形相应的修正。在针对曝光图形进行修正时，在矢量图像的阶段进行补正在计算量方面是高效的，但是为了提高电路板制造的生产量还需要光栅转换的高速化。

由于布线图形的高精度化，曝光所需的位图图像的规模也在增加，所以作为存储位图图像的存储器希望使用大容量、廉价且高速的DRAM。可是，因为布线图形是2维图像，所以在指定为1维的存储器地址时，在将对布线图形进行了光栅转换的位图图像存储至存储器的过程中大多为随机访问。因此，可使用如下的方法等：以分段访问来将存储到DRAM的位图图像的一部分读出到由易于进行随机访问的SRAM构成的超高速缓冲存储器中，光栅转换后的位图图像对于超高速缓冲存储器以随机访问进行读写，之后进行汇总以分段访问回写至DRAM中，由此来提高对DRAM的访问效率。

作为提高对DRAM的访问效率的方法，有在超高速缓冲存储器与DRAM之间读写位图图像的一部分时，通过压缩、伸长位图图像来减小在DRAM中进行读写的数据规模的方法(专利文献1)。

[专利文献1]特开平9-214709号公报(图1)

发明内容

但是，在曝光装置中的绘图装置的情况下，1位的误差会对印刷电路板制造的合格率产生影响，所以在超高速缓冲存储器和DRAM之间进行位图图像的压缩、伸长时不能采用不可逆的压缩。

作为位图图像的可逆的压缩方法有扫描宽度法(以下称为“RLE压缩”。)等，不过根据压缩单位和位图图像的图形关系，有压缩后的数据大小比压缩前的数据大小还大的情况，这样未必能提高对DRAM的访问效率。

本发明的目的是为了解决上述课题而提供一种绘图装置，该绘图装置通过确实地减小位图图像压缩后的数据大小、并且高效地使用压缩后的数据可快速地生成曝光图形。

为了实现上述目的，本发明提供一种绘图装置，其特征是，具有：光栅转换处理单元，其将作为矢量图像的布线图形转换为位图图像；图像超高速缓冲存储单元，其临时存储从所述光栅转换处理单元输入的、预定大小的超高速缓冲存储图像；第1压缩单元，其压缩存储到所述图像超高速缓冲存储单元的超高速缓冲存储图像；第2压缩单元，其以与所述第1压缩单元不同的压缩率来压缩存储到所述图像超高速缓冲存储单元的超高速缓冲存储图像；比较单元，其比较在所述第1压缩单元以及第2压缩单元中生成的压缩数据的数据大小，选择数据大小小的一方；存储器访问单元，其向存储单元写入所述比较单元所选择的压缩数据；以及超高速缓冲存储区域管理单元，其管理所述超高速缓冲存储图像的压缩状况。

在此情况下，可使所述第1压缩单元的压缩单位与布线图形的最小线幅相一致。

另外，在所述比较单元所选择的压缩数据是白或黑的超高速缓冲存储图像的情况下，将表示此情况的参数登录到所述超高速缓冲存储区域管理单元，在所述存储单元中不进行写入。

此外，还具有：多组的图像超高速缓冲存储控制单元，其由所述图像超高速缓冲存储单元、所述第1压缩单元、所述第2压缩单元以及所述比较单元组成；以及超高速缓冲存储切换单元，其被配置在所述多个图像超高速缓冲存储控制单元和所述存储器访问单元之间、切换某一个所述图像超高速缓冲存储控制单元与存储器访问单元的路径。

因为能够确实地减小位图图像压缩后的数据大小、并且高效地使用压缩后的数据，所以可快速地生成曝光图形。

附图说明

图1是表示本发明实施例1的绘图装置的结构的图。

图2是用于说明压缩单位和压缩结果的图。

图3是表示本发明实施例2的绘图装置的结构的图。

图4是表示本发明的处理流程的时序图。

符号说明：