[发明专利]共享全局性字线磁性随机存取存储器有效
| 申请号： | 200810074304.7 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101231881B | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | H·李;F·A·佩尔纳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共享 全局性 磁性 随机存取存储器 | ||
1.一种共享全局性字线MRAM结构，包括：
取向为第一方向的第一位线导线(342)；
取向为第二方向的第一读出线导线(360)；
物理连接于第一位线导线(342)和第一读出线导线(360)之间并位于第一层的第一存储单元(322)；
位于第二层、基本取向为第二方向而且磁性耦合于第一存储单元(322)的全局性字线(310)；
基本取向为第一方向的第二位线导线(352)；
基本取向为第二方向的第二读出线导线(362)；及
物理连接于第二位线导线(352)和第二读出线导线(362)之间并位于第三层的第二存储单元(332)；
其中全局性字线(310)又磁性耦合于第二存储单元(332)，其中全局性字线包括中心导体和磁性金属衬垫，其中该磁性金属衬垫设置在该中心导体的未设置所述第一存储单元(322)和所述第二存储单元(332)的两相反侧上，全局性字线在流过电流时提供双方向磁场，从而允许全局性字线对所述第一存储单元和第二存储单元二者的磁化状态取向。
2.如权利要求1所述的共享全局性字线MRAM结构，其中该磁性金属衬垫包括第一衬垫部分和第二衬垫部分，该第一衬垫部分和该第二衬垫部分这样定位，使得双方向磁场聚集在该第一存储单元和该第二存储单元二者的位置。
3.如权利要求1所述的共享全局性字线MRAM结构，其中该双方向磁场流过该第一衬垫部分和该第二衬垫部分。
4.一种共享全局性字线MRAM结构，包括：
取向为第一方向的第一位线导线(342)；
取向为第二方向的第一读出线导线(360)；
物理连接于第一位线导线(342)和第一读出线导线(360)之间并位于第一层的第一存储单元(322)；
位于第二层、基本取向为第二方向而且磁性耦合于第一存储单元(322)的全局性字线(310)；
基本取向为第一方向的第二位线导线(352)；
基本取向为第二方向的第二读出线导线(362)；及
物理连接于第二位线导线(352)和第二读出线导线(362)之间并位于第三层的第二存储单元(332)；
其中全局性字线(310)又磁性耦合于第二存储单元(332)，其中该第一位线导线、该第一读出线导线和该第一存储单元相对于全局性字线是该第二位线导线、该第二读出线导线和该第二存储单元的镜像。
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