[发明专利]具有功率放大器的芯片模块及其制作方法有效
申请号: | 200810074321.0 | 申请日: | 2008-02-15 |
公开(公告)号: | CN101226927A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 陈建成 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 功率 放大器 芯片 模块 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种芯片模块及其制作方法,尤其涉及一种具有功率放大器的芯片模块及其制作方法。
背景技术
对于无线通讯产业而言,提高通讯电子产品的可携性是一个发展的趋势,也是提升产品竞争力一个受到重视的课题。为了提升通讯电子产品的可携性,必须设法缩小电子产品的尺寸与重量。基本上,通讯电子产品通常都具有基板。芯片是封装技术安装于基板上。因此,芯片封装结构的大小必然对于影响整个电子产品的尺寸造成影响。
图1为典型无线模块10的示意图。如图中所示,此无线模块10具有基板11、至少一芯片封装结构12、功率放大器芯片13与多个无源元件(passiveunit)14,例如电阻、电感、电容。无源元件14是以表面粘着技术(surfacemount technology,SMT)设置于基板11上。
为了提供高频信号,目前的功率放大器芯片13多使用III/V族半导体芯片,例如砷化镓芯片,取代传统的硅芯片。不过,由于功率放大器芯片13是应用于较为严苛的高频环境,无法直接以倒装焊封装(Flip-Chip)或是无线芯片级(WLCSP)封装的技术封装于基板11上。通常是先将功率放大器芯片贴附于基板11上,并利用导线将功率放大器芯片与基板11相连接,然后再利用封装材料包覆功率放大器芯片。其次,为了避免裸露于外的导线可能成为激发能量的天线,导线也必须以封装材料加以覆盖。
图2A与2B为典型功率放大器芯片的封装结构的剖面图与俯视图。如图中所示,基板110上制作有坝状(dam)结构160环绕功率放大器芯片120。封装材料170填入此坝状结构160所围出的空间内,包覆功率放大器芯片120与导线130,以提供功率放大器芯片120与导线130所需的绝缘保护。值得注意的是,虽然此种封装结构可以将功率放大器芯片120适当地封装于无线模块10中,但是制作坝状结构160时,必须于基板110上预留定空间以供作业,因此,坝状结构160的存在必然会增加封装结构的尺寸,而对产品的可携性造成不利的影响。
因此,本发明提供一种芯片模块及其制作方法,可以将功率放大器芯片120适当地封装于芯片模块内,并且避免封装结构尺寸产生不必要的增加。
发明内容
本发明的主要目的为提供一种芯片模块及其制作方法,可以将功率放大器封装于其中。同时,可以避免为了提供导线所需的绝缘保护,而导致封装结构尺寸的增加。
本发明提供一种芯片模块,包括基板、芯片、多个无源元件(passiveunits)、第一胶体与第二胶体。其中,芯片设置于基板上,并与基板电性连接。多个无源元件设置于基板上,并且环绕芯片。第一胶体填充于这些无源元件之间,并与这些无源元件共同定义出封闭区域。第二胶体填充于此封闭区域并覆盖芯片。
本发明并提供一种芯片模块的制作方法,包括下列步骤:(a)提供基板;(b)装设芯片于基板上,并使芯片电性连接至基板;(c)装设多个无源元件(passive units)于基板上,并且环绕芯片;(d)填充第一胶体于这些无源元件之间,并与这些无源元件共同定义出封闭区域;以及(e)填充第二胶体于封闭区域并覆盖芯片。
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。
附图说明
图1为典型无线模块的示意图;
图2A与2B为典型功率放大器封装结构的示意图;
图3、4、5A、5B、6A、6B与7为本发明芯片模块的制作方法一优选实施例的示意图;
图8A与8B为本发明芯片模块的制作方法另一优选实施例的示意图;
图9为本发明芯片模块的制作方法又一优选实施例的示意图;以及
图10为本发明芯片模块的制作方法又一优选实施例的示意图。
附图标记说明
无线模块:10 基板:11
芯片封装结构:12 功率放大器芯片:13
无源元件:14 基板:110
功率放大器芯片:120 导线:130
坝状结构:160 封装材料层:170
芯片模块:200 基板:210
粘着层:270 芯片:220
导线:230 无源元件:240
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