[发明专利]半导体存储装置的制造方法、再生方法、及再出货方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的制造方法，该半导体存储装置由形成在半导体基板上的FET结构的多个存储单元构成，上述多个存储单元中的各个存储单元存储单位比特而保存有信息数据，其特征在于，该制造方法具有：

准备工序，准备上述多个存储单元；

写入工序，将上述信息数据的各比特写入到上述各个存储单元内；

烘干工序，在上述写入工序后，将上述各个存储单元在规定的周围温度下放置规定时间；以及

再写入工序，在上述烘干工序后，将上述信息数据的各比特写入到上述各个存储单元内。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法具有追加工序，该追加工序在上述再写入工序后，将上述烘干工序和上述再写入工序作为组，执行上述组至少1次。

3.一种半导体存储装置的再生方法，该半导体存储装置由形成在半导体基板上的FET结构的多个存储单元构成，上述多个存储单元中的各个存储单元存储单位比特而保存有信息数据，其特征在于，上述再生方法具有：

删除工序，删除已写入在所述各个存储单元内的已写入信息数据；

写入工序，在上述删除工序后，将新的信息数据的各比特写入到上述各个存储单元内；

烘干工序，在上述写入工序后，将上述各个存储单元在规定的周围温度下放置规定时间；以及

再写入工序，在上述烘干工序后，将上述新的信息数据的各比特写入到上述各个存储单元内。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置的再生方法，其特征在于，上述再生方法具有追加工序，该追加工序在上述再写入工序后，将上述烘干工序和上述再写入工序作为组，执行上述组至少1次。

5.一种半导体存储装置的再出货方法，该半导体存储装置由形成在半导体基板上的FET结构的多个存储单元构成，上述多个存储单元中的各个存储单元保存数据，其特征在于，该再出货方法具有：

在半导体晶片上形成上述多个存储单元的工序；

将由上述多个存储单元构成的多个半导体存储装置单片化的工序；

将上述单片化后的多个半导体存储装置封装的工序；

将基于来自顾客的数据写入请求的第1数据写入到封装后的上述半导体存储装置的上述各个存储单元内的第1写入工序；

将上述半导体存储装置出货给顾客的工序；

从上述顾客收取写入有上述第1数据的上述半导体存储装置的工序；

删除在上述半导体存储装置内写入的上述第1数据的工序；

将基于来自上述顾客的数据改写请求的第2数据写入到上述半导体存储装置内的第2写入工序；

在上述第2写入工序后，将上述半导体存储装置在规定的周围温度下放置规定时间的烘干工序；

在上述烘干工序后，将上述第2数据写入到上述半导体存储装置的上述各个存储单元内的第3写入工序；以及

将写入有上述第2数据的上述半导体存储装置再出货给上述顾客的再出货工序。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置的再出货方法，其特征在于，上述再出货方法具有追加工序，该追加工序在上述第3写入工序后，将上述烘干工序和上述第3写入工序作为组，执行上述组至少1次。