[发明专利]磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器

权利要求书

1、一种CPP型磁阻器件，包括：

磁化被钉扎层；

磁化自由层；以及

非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间；

其中，所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层中的至少一个由CoFeGe形成，以及

其中，所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、D的线段所限定的范围内，其中点A为(42.5，30，27.5)，点B为(35，52.5，12.5)，点C为(57.5，30.0，12.5)，点D为(45.0，27.5，27.5)，并且其中各坐标点由用原子百分比(at.％)表示的(Co，Fe，Ge)的含量百分比来表示。

2、如权利要求1所述的磁阻器件，其中，当所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层中的一个由CoFeGe形成时，另一个由CoFeGe或CoFeAl形成。

3、如权利要求1所述的磁阻器件，还包括：

界面磁层，插入在所述非磁层与用于所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层中的至少一个的CoFeGe层之间。

4、如权利要求1所述的磁阻器件，还包括：

对称设置的磁化被钉扎层，所述对称设置的磁化被钉扎层与所述磁化被钉扎层关于所述磁化自由层对称；以及

第二非磁层，插入在所述磁化自由层与所述对称设置的磁化被钉扎层之间；

其中，所述磁化自由层、所述磁化被钉扎层以及所述对称设置的磁化被钉扎层中的至少一个由具有所述成分的CoFeGe形成。

5、如权利要求4所述的磁阻器件，还包括：

第一界面磁层和第二界面磁层；

其中，所述磁化自由层位于所述非磁层与所述第二非磁层之间，以及

其中，所述第一界面磁层设置在所述磁化自由层与所述非磁层之间，而所述第二界面磁层设置在所述磁化自由层与所述第二非磁层之间。

6、如权利要求3所述的磁阻器件，其中，所述界面磁层由包括Co_XFe_(100-X)(0≤X≤100at.％)、Ni₈₀Fe或者CoFeAl的磁合金形成。

7、如权利要求5所述的磁阻器件，其中，所述第一界面磁层和第二界面磁层由包括Co_XFe_(100-X)(0≤X≤100at.％)、Ni₈₀Fe或者CoFeAl的磁合金形成。

8、如权利要求5所述的磁阻器件，其中，所述磁阻器件的MR比在5.6％或以上。

9、如权利要求1所述的磁阻器件，其中，所述CoFeGe的电阻率(ρ)的范围从50μΩcm到300μΩcm，自旋相关体散射系数(β)在0.4或以上。

10、如权利要求1所述的磁阻器件，其中，所述磁化被钉扎层包括第一磁化被钉扎膜、第二磁化被钉扎膜、以及设置在所述第一磁化被钉扎膜与所述第二磁化被钉扎膜之间的非磁耦合层。

11、如权利要求10所述的磁阻器件，还包括：

界面磁层，设置在所述第二磁化被钉扎膜与所述非磁层之间；

其中，所述磁化被钉扎层的所述第二磁化被钉扎膜位于靠近所述非磁层一侧。

12、一种磁头，包括：

衬底，形成磁头滑动器的基底；以及

如权利要求1所述的磁阻器件，形成在所述衬底上。

13、一种磁存储设备，包括：

磁记录介质；以及

磁头，配置为读取记录在所述磁记录介质中的信息，所述磁头包括如权利要求1所述的磁阻器件。