[发明专利]绝缘膜有效
| 申请号： | 200810080697.2 | 申请日： | 2008-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101257002A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 森田健介;割石幸司;浅野明;村松诚 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件用绝缘膜，所述的绝缘膜是通过在基板上固化高分子化合物而得到的，所述的高分子化合物是通过聚合具有两个或更多个作为取代基的不饱和基团并且具有环状硅氧烷结构的笼型硅倍半氧烷化合物而得到的，
其中所述笼型硅倍半氧烷化合物的结构不因固化而破裂。
2.一种半导体器件用绝缘膜，所述的绝缘膜是通过在基板上固化高分子化合物而得到的，所述的高分子化合物是通过聚合具有两个或更多个作为取代基的不饱和基团并且具有环状硅氧烷结构的笼型硅倍半氧烷化合物而得到的，
其中在固化后的膜的拉曼光谱中，观察不到在约610cm-1处的峰。
3.根据权利要求1所述的绝缘膜，
其中所述笼型硅倍半氧烷化合物具有m个RSi(O0.5)3单元，其中m表示8至16的整数，并且多个R各自独立地表示不可水解的基团，条件是多个R中的至少两个各自是含乙烯基或含乙炔基的基团，并且
其中每个单元通过共同拥有的氧原子连接到另一个单元，并且构成所述的笼结构。
4.根据权利要求3所述的绝缘膜，
其中m表示8、10或12的整数。
5.根据权利要求3所述的绝缘膜，
其中多个R中的至少两个是乙烯基。
6.根据权利要求5所述的绝缘膜，
其中所有R都是乙烯基。
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