[发明专利]叠层型压电元件有效

专利信息
申请号: 200810080741.X 申请日: 2004-07-28
公开(公告)号: CN101271957A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 小野进;冈村健;坂上胜伺;平隆晶;寺园正喜 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L41/083 分类号: H01L41/083
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 叠层型 压电 元件
【权利要求书】:

1.一种叠层型压电元件,包含由压电体和内部电极交替叠层而构成的叠层体,其特征在于:所述压电体的接触所述内部电极的部分的平均结晶粒径,比其以外的位置的平均结晶粒径更大。

2.如权利要求1所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述压电体的接触所述内部电极的部分的最小结晶粒径,比其以外的位置的最小结晶粒径更大。

3.如权利要求1所述的叠层型压电元件,其特征在于:接触所述内部电极的部分的压电体的最小结晶粒径为0.5μm以上5μm以下。

4.如权利要求1所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述内部电极主成分为VIII族金属及/或Ib族金属。

5.如权利要求4所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述内部电极含有VIII族金属和Ib族金属,当将VIII族金属的含有量设为M1%(质量)、Ib族金属的含有量设为M2%(质量)时,以其组成比满足0<M1≤15、85≤M2<100、M1+M2=100的方式进行设定。

6.如权利要求5所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述VIII族金属是由选自以Ni、Pt、Pd、Rh、Ir、Ru、Os构成的组中的至少一种以上而构成,Ib族金属是由选自以Cu、Ag、Au构成的组中的至少一种以上而构成。

7.如权利要求6所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述VIII族金属是Pt、Pd之中的至少一种以上,Ib族金属是Ag、Au之中的至少一种以上。

8.如权利要求6所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述VIII族金属是Ni。

9.如权利要求6所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述Ib族金属是Cu。

10.如权利要求4所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述内部电极除所述主成分之外还含有无机组合物。

11.如权利要求10所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述无机组合物将由PbZrO3-PbTiO3构成的钙钛矿型氧化物作为主成分。

12.如权利要求1所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述压电体将钙钛矿型氧化物作为主成分。

13.如权利要求12所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述压电体将由PbZrO3-PbTiO3构成的钙钛矿型氧化物作为主成分。

14.如权利要求1所述的叠层型压电元件,其特征在于:所述叠层体的烧成温度为900℃以上1000℃以下。

15.如权利要求1所述的叠层型压电元件,其特征在于:

所述内部电极是,包含交替叠层的第一内部电极和第二内部电极,并在所述叠层体的第一侧面上露出所述第一内部电极的端部,而另一方面,第二内部电极的端部从所述第一侧面分离,并从其第一侧面朝所述第二内部电极的端部形成槽,

在与所述第一侧面相对的所述叠层体的第二侧面上露出所述第二内部电极的端部,而另一方面,第一内部电极的端部从所述第二侧面分离,并从其第二侧面朝所述第一内部电极的端部形成槽,

在所述槽中分别填充杨氏模量比所述压电体更低的绝缘体。

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