[发明专利]钨膜的形成方法及使用其的半导体装置的布线的形成方法

权利要求书

1. 一种钨膜的形成方法，包括步骤：

在半导体基底上方形成具有非晶相和β相至少其一的钨成核层；

在该钨成核层上方形成具有α相的第一钨层；以及

在该第一钨层上方通过物理气相沉积工艺形成第二钨层。

2. 如权利要求1所述的方法，其中该钨成核层是通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺来形成。

3. 如权利要求1所述的方法，其中形成钨成核层的步骤包括流通含有B的气体做为反应气体和流通含有W的气体做为源气体。

4. 如权利要求3所述的方法，其中所述含有B的气体包括B₂H₆气体以及所述含有W的气体包括WF₆气体。

5. 如权利要求1所述的方法，其中形成钨成核层的步骤包括步骤：

在该半导体基底上方形成第一成核层；

在该第一成核层上方形成第二成核层。

6. 如权利要求5所述的方法，其中形成第一成核层的步骤包括流通含有Si的气体做为反应气体和流通含有W的气体做为源气体。

7. 如权利要求6所述的方法，其中所述含有Si的气体包括SiH₄气体以及所述含有W的气体包括WF₆气体。

8. 如权利要求5所述的方法，其中该第一成核层是通过重复一包括流通反应气体、第一净化、流通源气体以及第二净化的工艺来形成。

9. 如权利要求5所述的方法，其中形成第二成核层的步骤包括流通含有B的气体做为反应气体和流通含有W的气体做为源气体来形成。

10. 如权利要求9所述的方法，其中所述含有B的气体包括B₂H₆气体以及所述含有W的气体包括WF₆气体。

11. 如权利要求5所述的方法，其中所述第二成核层是通过重复一包括流通反应气体、第一净化、流通源气体、以及第二净化的工艺来形成。

12. 如权利要求5所述的方法，其中形成第二成核层的步骤包括将含有B的反应气体流通到该第一成核层的表面上。

13. 如权利要求12所述的方法，其中形成第二成核层的步骤包括重复一包括流通含有B的反应气体以及净化的工艺，其中所述含有B的反应气体包括B₂H₆。

14. 如权利要求1所述的方法，其中所述第一钨层是通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺来形成。

15. 如权利要求1所述的方法，其中所述第一钨层是通过流通WF₆气体和H₂气体来形成。

16. 一种半导体装置的布线的形成方法，包括步骤：

在半导体基底上方形成阻挡膜；

在该阻挡膜上方形成钨膜；以及

蚀刻该钨膜和该阻挡膜以形成该布线，

其中形成该钨膜的步骤包括步骤：

在该阻挡膜上方形成具有非晶相和β相至少其一的钨成核层；

在该钨成核层上方形成具有α相的第一钨层；以及

在该第一钨层上方通过物理气相沉积工艺形成第二钨层。

17. 如权利要求16所述的方法，在形成阻挡膜的步骤之前，进一步包括步骤：

在该半导体基底上方形成栅极绝缘膜；以及

在该栅极绝缘膜上方形成多晶硅膜。

18. 如权利要求16所述的方法，其中该钨成核层是通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺来形成。

19. 如权利要求16所述的线形成方法，其中形成钨成核层的步骤包括流通含有B的气体做为反应气体和流通含有W的气体做为源气体。

20. 如权利要求19所述的方法，其中所述含有B的气体包括B₂H₆气体以及所述含有W的气体包括WF₆气体。