[发明专利]钨膜的形成方法及使用其的半导体装置的布线的形成方法无效
申请号: | 200810080788.6 | 申请日: | 2008-02-18 |
公开(公告)号: | CN101447427A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 河佳英;金俊基 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 方法 使用 半导体 装置 布线 | ||
1. 一种钨膜的形成方法,包括步骤:
在半导体基底上方形成具有非晶相和β相至少其一的钨成核层;
在该钨成核层上方形成具有α相的第一钨层;以及
在该第一钨层上方通过物理气相沉积工艺形成第二钨层。
2. 如权利要求1所述的方法,其中该钨成核层是通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺来形成。
3. 如权利要求1所述的方法,其中形成钨成核层的步骤包括流通含有B的气体做为反应气体和流通含有W的气体做为源气体。
4. 如权利要求3所述的方法,其中所述含有B的气体包括B2H6气体以及所述含有W的气体包括WF6气体。
5. 如权利要求1所述的方法,其中形成钨成核层的步骤包括步骤:
在该半导体基底上方形成第一成核层;
在该第一成核层上方形成第二成核层。
6. 如权利要求5所述的方法,其中形成第一成核层的步骤包括流通含有Si的气体做为反应气体和流通含有W的气体做为源气体。
7. 如权利要求6所述的方法,其中所述含有Si的气体包括SiH4气体以及所述含有W的气体包括WF6气体。
8. 如权利要求5所述的方法,其中该第一成核层是通过重复一包括流通反应气体、第一净化、流通源气体以及第二净化的工艺来形成。
9. 如权利要求5所述的方法,其中形成第二成核层的步骤包括流通含有B的气体做为反应气体和流通含有W的气体做为源气体来形成。
10. 如权利要求9所述的方法,其中所述含有B的气体包括B2H6气体以及所述含有W的气体包括WF6气体。
11. 如权利要求5所述的方法,其中所述第二成核层是通过重复一包括流通反应气体、第一净化、流通源气体、以及第二净化的工艺来形成。
12. 如权利要求5所述的方法,其中形成第二成核层的步骤包括将含有B的反应气体流通到该第一成核层的表面上。
13. 如权利要求12所述的方法,其中形成第二成核层的步骤包括重复一包括流通含有B的反应气体以及净化的工艺,其中所述含有B的反应气体包括B2H6。
14. 如权利要求1所述的方法,其中所述第一钨层是通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺来形成。
15. 如权利要求1所述的方法,其中所述第一钨层是通过流通WF6气体和H2气体来形成。
16. 一种半导体装置的布线的形成方法,包括步骤:
在半导体基底上方形成阻挡膜;
在该阻挡膜上方形成钨膜;以及
蚀刻该钨膜和该阻挡膜以形成该布线,
其中形成该钨膜的步骤包括步骤:
在该阻挡膜上方形成具有非晶相和β相至少其一的钨成核层;
在该钨成核层上方形成具有α相的第一钨层;以及
在该第一钨层上方通过物理气相沉积工艺形成第二钨层。
17. 如权利要求16所述的方法,在形成阻挡膜的步骤之前,进一步包括步骤:
在该半导体基底上方形成栅极绝缘膜;以及
在该栅极绝缘膜上方形成多晶硅膜。
18. 如权利要求16所述的方法,其中该钨成核层是通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺来形成。
19. 如权利要求16所述的线形成方法,其中形成钨成核层的步骤包括流通含有B的气体做为反应气体和流通含有W的气体做为源气体。
20. 如权利要求19所述的方法,其中所述含有B的气体包括B2H6气体以及所述含有W的气体包括WF6气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810080788.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种门控时钟系统及其工作方法
- 下一篇:投射型影像显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造