[发明专利]光电转换设备和制造光电转换设备的方法无效
申请号: | 200810080868.1 | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101252137A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 三岛隆一;成濑裕章 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 设备 制造 方法 | ||
1、一种光电转换设备,包括:
置于半导体衬底上的光电转换元件;以及
多层布线结构,包括布置为在半导体衬底上方将层间绝缘膜夹在其间的多个布线层,
在布线层之中的最上面的布线层上配置有扩散抑制膜,以抑制形成最上面的布线层的材料的扩散,
扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域,
在对应于光电转换元件的区域中配置有透镜,该透镜由最上面的布线层上配置的扩散抑制膜的一部分制成,或直接与扩散抑制膜接触。
2、根据权利要求1所述的光电转换设备,其中,布线层由Cu制成。
3、根据权利要求1所述的光电转换设备,其中,至少一个布线层形成镶嵌结构。
4、根据权利要求1所述的光电转换设备,其中
扩散抑制膜包含氮化硅膜。
5、根据权利要求1所述的光电转换设备,其中
在层间绝缘膜和扩散抑制膜之间的界面处配置有防反射膜。
6、根据权利要求5所述的光电转换设备,其中
防反射膜包含氮化硅膜。
7、根据权利要求1所述的光电转换设备,进一步包括半导体衬底上配置的用于控制来自光电转换元件的输出信号的外围电路,其中,扩散抑制膜的第一部分是在外围电路中的不同布线层之间配置的层间绝缘膜。
8、根据权利要求7所述的光电转换设备,其中
扩散抑制膜的第一部分也作为保护膜。
9、一种光电转换设备,包括:
其中配置了多个光电转换元件的像素区;以及
其中配置了用于控制来自光电转换元件的输出信号的电路的外围电路区域,其中
所述像素区和外围电路区域配置在共同的半导体衬底上,
在半导体衬底上方配置了多层布线结构,该结构包括被配置为将层间绝缘膜夹在其间的多个布线层,
外围电路区域的布线层数量大于像素区的布线层的数量,
在所述像素区的布线层之中的最上面的布线层上配置有扩散抑制膜,以抑制形成最上面的布线层的材料的扩散,以及
扩散抑制膜是外围电路区域中的层间绝缘膜。
10、根据权利要求9所述的光电转换设备,其中
在扩散抑制膜的对应于光电转换元件的区域中配置透镜。
11、根据权利要求9所述的光电转换设备,其中,透镜由最上面的布线层上配置的扩散抑制膜的一部分制成,或直接与扩散抑制膜接触。
12、根据权利要求9所述的光电转换设备,其中
布线层由Cu制成。
13、一种制造光电转换设备的方法,该光电转换设备包括:
置于半导体衬底上的光电转换元件,
多层布线结构,包括被埋入半导体衬底上方的层间绝缘膜中的多个布线层,以及
在布线层之中的最上面的布线层上配置的扩散抑制膜,以抑制形成最上面的布线层的材料的扩散,
其中,该方法包括下列步骤:
形成层间绝缘膜;
在层间绝缘膜上,形成防反射膜,该防反射膜用于减小入射到层间绝缘膜和扩散抑制膜之间的界面中的光的反射,以便形成层间绝缘膜和防反射膜的层叠结构;
去除层叠结构中将形成布线的一部分,以便形成布线沟;以及
用布线材料填充布线沟,以形成布线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的