[发明专利]氮化物半导体激光器元件

权利要求书

1、一种氮化物半导体激光器元件，其具有：包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜氮化物半导体激光器元件，其中，

至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜具有比所述第一保护膜的最大膜厚薄的区域。

2、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，在所述第二氮化物半导体层的表面形成有脊，在与所述活性层接触的第一保护膜中的脊的下方及其附近区域具有比所述第一保护膜的最大膜厚薄的区域。

3、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，所述第一保护膜由具有六方晶系的晶体构造的材料形成。

4、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，所述第一保护膜由氮化物膜形成。

5、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，所述第一保护膜的最大膜厚为50～1000的膜厚。

6、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，与所述共振器面的光波导路区域以外的区域接触的第一保护膜具有与构成共振器面的氮化物半导体层的晶体构造同轴取向的晶体构造。

7、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，所述共振器面是从由M面(1-100)、A面(11-20)、C面(0001)或R面(1-102)构成的组中选择的面。

8、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，在与所述共振器面接触的第一保护膜上还层叠有第二保护膜。

9、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，比所述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的第一保护膜的膜厚相对于最大膜厚薄5％以上。

10、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，比所述第一保护膜的最大膜厚薄的区域是共振器面的光波导路区域。

11、如权利要求1所述的氮化物半导体激光器元件，其中，比所述第一保护膜的最大膜厚薄的区域在共振器面上是横长的椭圆形状。

12、一种氮化物半导体激光器元件，其具有：包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与在该氮化物半导体层上形成的共振器面接触的第一保护膜、和在该第一保护膜上形成的第二保护膜，其中，

第二保护膜具有向共振器面侧的面及与该面相对的面突出的厚膜部。

13、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，第二保护膜的厚膜部在共振器面的光波导路区域附近形成。

14、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，在氮化物半导体层的表面形成有脊，第二保护膜在该脊的下方及其附近区域具有所述厚膜部。

15、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，第二保护膜的厚膜部在共振器面为横长的椭圆形状。

16、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，第二保护膜的厚膜部的膜厚相对于同一面上的厚膜部以外的区域厚5％以上。

17、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，第二保护膜的厚膜部具有1000～3000的膜厚。

18、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，第二保护膜是氧化物膜。

19、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，在共振器面侧的面上形成的厚膜部的面积小于在相对的面上形成的厚膜部的面积。

20、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，第一保护膜的至少与共振器面的活性层接触的区域的膜厚薄于第一保护膜的最大膜厚。

21、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，第一保护膜由具有六方晶系的晶体构造的材料形成。

22、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，第一保护膜在与共振器面接触的一侧具有与构成共振器面的氮化物半导体层的晶体构造同轴取向的晶体构造。

23、如权利要求12所述的氮化物半导体激光器元件，其中，所述共振器面是从M面(1-100)、A面(11-20)、C面(0001)或R面(1-102)构成的组中选择的面。